大功率微波电子注器件及其发展研究.pdfVIP

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毛 大功率微波电子注器件及其发展 电子部第十二研究所 廖复祖 本文综述了大功率微波管最新进展,指出以电子注和电磁场互作用为基础的大功率微 波管、相对论高功率微波源(HPM).真空微电子器件仍然是国防和信息系统的核心器件, 其技术进展将为21世纪军事电子装备提供强有力的支持,也将对信息社会的发展产生深 远的影响. 1.引言 微波管在现代战争中的重要性已得到政府决策者和军事电子系统设计者的认可,特别 是在大功率和高频率悄况下,目前还没有任何其他的器件可以代替川.微波管是建立在电 子注和电磁场互作用原理基础上的一种器件。这类器件的突出优点是具有大功率的能力. 电子可以被加速到很高的电压,具有很高的能量;管体的三维金属或金属陶瓷结构使其具 有很大的散热能力:电子注能量的回收,使微波管具有很高的效率,卫星行波管的效率可 达到 70%以上。这些特点是半导体器件所没有的,因而在高功率雷达、电子对抗设备和 大功率通信设备中,它不能取代微波管,这也是高功率微波管自70年代以来为什么能保 持持续发展的原因,和一个设计得很好的微波管放大器相比,同等功率的大功率半导体放 大器的体积和重量将是微波管体积和重量的50倍[2I图1和图2给出了微波电子注器件 ;一VSoacudluimstate几尹了夕于 〕 夕尸 尹产 /‘ 叮 1 , / .i ^ to-,一-r一 止一一,一一~一 匕一-一一..工~一一一一习一一一一一J一— J 1930 40 50 60 70 80 90 Timeyears 图1微波管和半导体器件单管平均功率输出发展情况 和半导体器件单个器件平均功率的发展情况。虽然图I只标明到90年代初,但到1997年 为止,器件的相对发展水平仍然和图1相符。图2给出了到1993年为止的发展情况. . 谊 , 价 . 曲 沪 . 峨 沪 斗 . 已 0 . J , 七 . O d 己 护 . 吕 全 . . 心 护 V 月 0 . 1 . . 曰 扩 搜 吃 , 犷 召 己 图2徽波管和半导体签件单管翰出功率和频牟的关系 现代军事电子系统要求微波管在频带宽度、效率和输出方面具有良好的综合性能,现 成的微波管只能满足部分要求。为了进一步提高微波管的性能,近年来国内外都探索了一 些新的途径,出现了一些新的工作原理和新的器件。最重要的器件包括美国空军电子系统 司令部支持开发的、用于机载告普和火控系统((Awacs)的高功率宽带集群腔速调管;美国 海军实验室、CPI和利顿(Litton)联合研制的3mm(1000Hz)波长高功率回旋速调管放大器; 美国能源部支持。在CPI和EEV开发的IMW,700MHzCW速调管,并将用于加速器生产氮 的计划;真空微电子器件、集成固态/真空微波功率模块(MPM)、预调制器件、快波器件 和等离子体填充的微波管等。 真空微电子器件包括射频功率器件和平面显示器件。在射频功率器件方面,美国Nasa Lewis实验中心和斯坦国际研究所(SRI)正在研制一个1OMHZ50W速

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