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2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海
超长六角多型纳米碳化硅晶须的光学性质
U1i.Lemmer2
张洪涛1’2 Georg.Bastian2
(湖北工业大学,电气与电子工程学院,武汉,430068)1
of andInformation
(Karlsruhe Electronics Technology,
University,Faculty
Germany,76121)2
EnhancedChemical
摘要:采用改进的PECVD(Plasma VaporDeposition)技术首次制备
出六角多型碳化硅纳米晶须。高分辨率电镜观察其直径在18—50nm之间。长度为0.3um一6mm。
Raman光谱表明它是六角多型(4H)纳米碳化硅晶须。紫外光激发出现高强度蓝光发射。
碳化硅带隙为3.98eV,这一发光现象与量子力学计算结果不符。说明了碳化硅晶须光学性
质特殊性。
关键词: 纳米晶须 六角多型碳化硅光学性质
PACC
4250,7855,7865V
超长晶须状纳米六角碳化硅是一种新型的宽带半导体材料。因为它可以用于紫外探测
器等领域,它的光学性质一直受到的人们关注。尚未听说它的光学性质研究情况。采用改
进的PECVD方法我们制备出直径非常细的晶须状纳米碳化硅[1]。经过Raman光谱测定,
发现它具有六角多型碳化硅晶体结构[2’5]。
1、实验
晶须状纳米碳化硅分散体。Raman光谱采用487.9nm的Ar+激光激发,在武汉理工大
学测试中心完成。紫外激发光谱测试在武汉大学化学学院紫外光谱室RF_5301紫外光谱仪
上进行,激发光源波长范围是220nm’700nm。高分辨率电镜(HRTEM)分析在武汉大学生命
科学学院电镜室HITACHI-8100电镜上进行。
2、结果与讨论
图1是碳化硅的HRTEM电镜显微像。可以看到晶须状纳米碳化硅的直径为18“30nm,
直径均匀分布。长度大部分在0.3um。6mm之间。从HRTEM可以观察到纳米晶须中间有明
显的螺纹(等间隔的黑体,长度在2nm左右,见图1中箭头B),因此推断纳米晶须是螺旋
状生长[1],这是六角多型生长的直接证据。图2是纳米碳化硅晶须的电子衍射图(TEM)。
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图1 晶须状六角碳化硅的HRTEM显微像,其直径为18’50D.m,长度为0.3um“6mm。
图2中是纳米晶须衍射环,根据它并不能确定纳米碳化硅晶须的多型性。从图中可以
2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海
看到纳米晶须衍射环中隐约出现衍射斑点,这可能是纳米晶须具有一维结晶良好的证据。
图3是它的Raman光谱。由图3可见它有两个特点。一是它出现了六角碳化硅的光发
射声子宽化峰,二是与六角碳化硅晶体的Raman光谱相比,它显著出现蓝移。其纵向光学
cm~。
声子峰从760cml蓝移到798Clll~,而横向光学声子蓝移到978
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