超长六角多型纳米碳化硅晶须的光学性质研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 超长六角多型纳米碳化硅晶须的光学性质 U1i．Lemmer2 张洪涛1’2 Georg．Bastian2 (湖北工业大学，电气与电子工程学院，武汉，430068)1 of andInformation (Karlsruhe Electronics Technology， University，Faculty Germany，76121)2 EnhancedChemical 摘要：采用改进的PECVD(Plasma VaporDeposition)技术首次制备 出六角多型碳化硅纳米晶须。高分辨率电镜观察其直径在18—50nm之间。长度为0．3um一6mm。 Raman光谱表明它是六角多型(4H)纳米碳化硅