多晶硅太阳电池PECVD沉积氮化硅薄膜研讨.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 多晶硅太阳电池PECVD沉积氮化硅薄膜研究 勾宪芳1’2，马丽芬“2，许颖2，励旭东2，王文静2，任丙彦1， 1．河北工业大学信息功能材料研究所，天津300130 2．北京市太阳能研究所，北京100083 准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、红外吸收光谱(IR)及反射谱对氮化硅薄膜特性进行了 研究，并获得了沉积氮化硅后硅片高寿命，高折射率、氢含量高钝化效果好、反射率低的 工艺条件。 关键字：多晶硅太阳电池；等离子体化学气相沉积；氮化硅 1引言 多晶硅材料中含有大量的位错晶界和过渡族金属等，这些杂质、缺陷和表面态是非平 衡载流子的复合中心，导致多晶硅中少数载流子寿命及扩散长度降低H。。近年来人们发现 氮化硅中的氢能够对多晶体内的杂质、缺陷和晶界进行钝化，从而提高了器件的性能幢1。 因此为提高多晶硅太阳电池的效率，利用氮化硅对多晶硅进行表面钝化和体钝化很有必 要；此外，多晶硅表面很难织构化，导致短路电流的降低，因此在多晶硅表面沉积一层减 反射膜是解决该问题的重要途径。 氮化硅薄膜是一种物理、化学性能十分优良的介质膜，具有良好的光电性能、化学稳 定性、热稳定性和抗高温氧化性，抗杂质扩散和水汽渗透能力强，硬度高，耐磨损性能好。 因此氮化硅不仅是理想的减反射膜，而且还可以同时达到钝化的效果，在光电领域被广泛 的应用。近年来，国外文献对PECVD法制备减反膜以及表面钝化和体钝化的研究已有部分 报道，但系统的对氮化硅薄膜性能的研究国内外报道很少，对多晶硅减反膜的报道更少。 所以本文对于制作高效率低成本的多晶硅太阳电池，沉积高质量的氮化硅薄膜的研究是很 有意义的。 2实验 PECVD的设备装置图 2．1实验装置 用等离子体化学气相沉积(PECVD)法沉积氮 性好、薄膜缺陷密度低。PECVD沉积氮化硅一般由S 反应式如下：SiH。+NH3——◆SiNH+3H2 PECVD的设备装置如右图所示： ．．283．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 表1PECVD沉积氮化硅薄膜的实验参数 2．2实验样品 Solar 本实验样品为德国Bayer Corporation的太阳能级多晶硅片和韩国双面抛光单 晶片，多晶硅片厚度为285um，电阻率0．6～0．9Q·cm；单晶硅片厚度650uIll，电阻率7～ 10Q·cm。 2．3实验方法 的比值为1、2、3、3．5、4、5的流量比分别沉积氮化硅薄膜，沉积温度350℃，沉积 时间8min。然后用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、红外吸收光谱(IR)、反 射谱测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、氢含量、反射率。 3结果与分析 从图1可看出，随着[NH3]／[SiH4：N2]的流量比的增加，氮化硅薄膜的厚度呈规律 的增加而降低，这是因为随着氨气流量的增加，氮化硅薄膜逐渐处于富氮状态；当[NH3]／ 这是由于硅含量逐渐增加所导致。 从图2可看出，随着[NH3]／[SiH4：N2]的流量比的增加，氮化硅薄膜的折射率呈不规 膜作为减反层最佳的折射率范围在2．0左右∞。。 ≈183 800 ．量1 82 m 三i_8l 700 苫