多晶硅氧化硅界面的二次离子质谱分析研究.pdfVIP

多晶硅／氧化硅界面的二次离子质谱分析 赵杰 (深圳职业技术学院 518055) 摘要利用二次离子质谱仪对多晶硅，氧化硅界面进行分析，发现多晶硅／氧化硅界面不是突 变的，而存在着一个过渡区；根据多晶硅薄膜的成核理论，分析该过渡区形成的物 理起源和机理，并利用“氧化层电导”模型，定量分析过渡区对器件栅氧化层电导 的影响。 关键词多晶脚氧化硅界面二次离子质谱过渡区栅氧化层电导 l引言 多年来，硅栅自对准工艺与N沟道技术一起，一直是MOS集成电路的主流工艺。随着电 11m。虽 路集成度的不断提高，器件尺寸越来越小，集成电路工艺的特征尺寸已经下降到O．15 然单纯多晶硅栅和多晶硅互连已显示出局限性，多晶硅过高的电阻率所引起的时间延迟已成 为提高VLSI电路速度的主要限制，正在用难熔金属的硅化物来代替它，但难熔金属硅化物栅 仍要与成熟的硅栅技术相结合，形成多晶硅／硅化物复合栅。所以，即使是甚大规模集成电路 (ULSI)的核心元件MOS晶体管中，仍存在多晶硅／氧化硅界面问题。 本文的工作就是利用二次离子质谱仪等表面分析手段，对硅栅MOS结构的多晶硅／氧化硅 界面进行实验研究，确定该界面的性质和结构，从理论上分析形成这种界面性质和结构的物 理起因，以及该界面对MOS器件性能的影响。 2样品制备 Q·cm。利用于氧氧化与如一O。合成氧化 衬底采用P型硅(100)抛光片，电阻率为5～10 同时利用干一湿一干热氧化法生长出厚度为200nm(样品D)的氧化层。然后采用LPCVD方法， 品C、D)的多晶硅膜。最后采用磷扩散(样品A)和硼离子注入(样品C、D)方法对多晶硅 进行掺杂，磷扩散温度为900℃，时间为50min，硼离子注入后退火温度为900℃，时间lhr。 Q／D。 Q／D，掺硼多晶硅膜Ro=230 掺磷多晶硅膜R口=21 3实验结果 利用IMS．3F型二次离子质谱(SIMS)仪，对上述样品进行元素组分、杂质纵向分布分 析，测试了氧元素、硅元素、磷元素和硼元素等的原子浓度在样品中的分布，结果如图l、2 和3所示。由于SIMS分析是通过对发射出来的二次离子进行质量分析来鉴别元素的，因而只 152 差数倍电子质量的纯硅和被氧化硅是无法分开的，测试结果中的硅元素原子浓度是未被氧化 硅和氧化硅的原子浓度之和。由于为均匀样品，为提高检测极限，入射离子束斑做得较大。 用Q—STEP200型台阶测量仪测定样品的溅射深度，可确定溅射速度为0．7nm／s。因而根 据溅射速度可确定曲线中任一溅射时间所对应的样品深度。 样品A中氧、硅和磷元素的原予浓度随溅射时间的变化情况如图1所示。三种元素的测 试是分别进行的，这主要是由于硅原子质量与磷原子质量很接近。结果表明氧化层中氧原子 浓度分布是逐渐上升又下降的，没有平坦的浓度分布区，氧原子浓度在靠近多晶硅膜和硅衬 底处要低于氧化层内部。硅原子浓度分布，则是在氧化层中的浓度(2．31022era)要低于多晶 硅膜或硅衬底中的浓度(5．01022era)。显然MOS结构氧化层的两个界面均存在着成分的过渡 区，并且由于样品A的栅氧化层很薄，造成两个界面过渡区相遇。 样品C、D的SIMS测试结果如图2、3所示。样品C、D硅、氧、硼三种元素原子浓度 分布的测量是同时进行的，因而准确度更高。图2、3均表明，在多晶硅／氧化硅界面处元素的 组分有一个渐变过程，即存在一个成分过渡区。由于氧化层较厚，氧化层两个界面过渡区相 距较远，硅、氧元素的浓度分布均有一个平坦区域。 此外，图l、2、3中还给出了掺杂元素磷、硼在硅栅MOS结构中的纵向分布情况：对于 掺硼多晶硅栅MOS结构，氧化层中含有相当高浓度的硼 l口‘-i