多晶硅太阳电池的表面织构化研究.pdfVIP

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2018-01-12 发布于未知
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多晶硅太阳电池的表面织构化研究.pdf

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多晶硅太阳电池的表面织构化王永东曾为民孙铁囤崔容强 (上海交通大学应用物理系太阳能研究所 200240) 文摘:由于多晶硅电池表面晶向的无序性，传统的用于单晶硅的各向异性腐蚀不再有效。本文从降低成本，提高效率的商业角度出发，介绍两种多晶硅太阳电池表面的织构化技术。关键词: 光陷阱，全反射 0 引言由于晶体硅是间接带隙半导体，吸收系数较弱，因此要充分吸收入射光就需要一定的这不仅会增加电池原材料的成本，而且由于光生载流子的扩散长度有限，使其在到厚度结被内建电场分开之前就复合掉了。为了解决这个问题，就必须利用光陷阱技术以提达pn 高光在电池中的光学路径长度，这样就可以降低对电池厚度的要求。对单晶硅太阳电池来传统的表面织构化工艺介绍表面织构化对太阳的特性起两方面的重要作用。第一是通过再次收集表面反射光而达到降低表面反射损失的作用:第二是通过内反射将光陷在电池内部。目前多晶硅太阳电池的表面织构化方法有很多，如激光刻槽，等离子刻蚀机械刻槽，化学腐蚀等。激光科槽速度慢且不适合于薄的衬底，等离子刻蚀成本又相当高，机械刻槽显示了优良的减反射性能，但是不适合于薄衬底。本文着重介绍了用于多晶硅体电池的机械刻槽工艺和薄膜电池的化学腐蚀法 2 机械刻槽工艺山将一系列刀片固定在同一个轴上，如图1121，刀片的顶角变化范围为35’-1800(顶角为180。时即为传统刀片)，刀片的厚度约为40-150^实验显示刀片的顶角为35。时得到最有效的光陷阱作用f11。在波长为950n。处反射率最小，为5.61/.，在500-1000二之间R6.6%。在400-1100二之间R,,=7.6%。对X-1200二的波段，同抛光片样品相比反射率有了明显的增加。这种多刀片刀具，具有刻槽速度快，工艺简单和图形均匀的优点，而且能够形成类似于单晶硅各向异性腐蚀形成的金字塔图形。刻槽后的切割损伤可用体积比为3:43:7的HF 一 31一 . . . . . . . . . . .