四唑基键合硅胶对阴离子富集作用研讨.pdf

四唑基键合硅胶对阴离子富集作用研究木宰 聂富强a熊小虎b卫引茂b宋俊峰a，1 (1西北大学分析科学研究所，西安710069；2西北大学化学系，西安 710069) 等有静电富集作用，而且富集效果随着阴离子电荷数的增加而增加，然而对荷正电阳离子如二茂铁 有排斥作用。 关键词：四唑基键合硅胶；Fe(c№63。；Fe(cN)，；二茂铁 功能化硅胶具有比表面积大、生物相容性好等优点，同时具有修饰基团的化学性质，满足了不 同的实际需要，在分析化学中得到广泛应用。本文用四唑基键合硅胶【11作为电极修饰材料，制作四 并比较了它们在TSiE和硅胶修饰碳糊电极(SiE)上的伏安行为及其富集情况，探讨了四唑基键合硅胶 对阴离子的富集作用机理。 E／V(Vs．SCE) of1．oxlo‘4moI·L-1 o．05mol·L．1 Cyclic Fe(cN)63。at Fjg．1 volt觚瑚。即蛐s TsiE(a)锄dsiE(b)iIl H2s04∞lutio|L mol·L．1 在O．05 H2S04溶液中，考察了1．O×10—m01．L-lFe(C№63。在siE和TsiE上的循环伏安行为。 ¨国家自然科学基金20575052)资助项目 扫描速率’，较低的情况下，Fc(C№6弘在TsiE上电极过程具有吸附特征，而在SiE上电极过程具有扩 1．8～9．9 散特征。在pH 电流k的影响。实验表明，在pH1．8时，Fe(CN)6弘在TsiE上的电极反应可逆性较好，峰电流较高； 随着pH值的增大，F“C№6}的电极反应可逆性变差，峰电流逐渐减小；当pH大于9时，峰电流下 J报道的四唑 降到很小，k-pH关系呈酸滴定曲线形状(图2)，其曲线拐点处pH约为5．2，与文献11 基的p疋≈5相符。以上实验结果说明，在酸性条件下，四唑基上氮原子的质子化对荷负电的Fe(CN)6孓 有静电富集作用。 pH 在0．05 富集容量分别为1．00×10’11mol和2．98x10_2mol。尽管四唑基在硅胶上键合量很小(约为 与阴离子Fe(CN)6}的静电作用是富集Fe(CN)6孓的主要因素。 为了进一步验证TS．E对荷负电离子的富集作用，在O．05m01·L-1 H2S04溶液中又分别考察了荷 原峰峰电位与其在siE上的基本相同，而峰电流进一步明显增大，约为其在SiE上的2倍。与荷负 电离子的情形相反，荷正电的二茂铁在TsiE上的峰电流有所减小，约为其在SiE上的O．9倍。这些 事实说明质子化四唑基对阴离子的富集作用随着其荷电荷数量的增加而增强。然而，对荷正电的质 点呈现静电排斥作用。 参考文献 【l】雷根虎，熊小虎，霍艳敏，卫引茂，郑晓辉，高等学校化学学报，2008，29(2)：268~272． TheAccumuIationof SmcaforAnions Tetrazolyl—Bonded Nie xia0．hu2Wd m．qiaIl91Xiong ym_ma02Songjull．fen91‘ Science，Nontlwest 710069； (1hlstituteofAnal如cal UIlivers咄Xi’an of 71 2DepartIIlentChemist吼NomlweStUmversi劬Xi’aIl0069)