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6.2、典型小规模数字电路及其应用
6.2 典型的小规模数字电路及其应用
一.74HC74: 八路D触发器触发Octal D-Type Flip-Flop With Clear
(1)封装:16脚DIP
(2)逻辑功能表:从逻辑表中可看出:上升沿翻转,低电平清零和置‘1’。
(3)应用举例:74HC74经常作为中断申请时的锁存信号!Handshaking上升沿向单片机提出中断请求INT1,单片机响应后,发出CLR_INT1清除Q,允许下次中断请求!
二.74HC273: 八路D触发器触发Octal D-Type Flip-Flop With Clear
(1)封装:20脚DIP
(2)逻辑功能表:从逻辑表中可看出:上升沿翻转,低电平清零。
(3)逻辑电路框图
(4)应用举例一
作为单片机的输出锁存,可驱动一个8位LED数码显示,如下图:
1D—8D接51单片机的数据总线D0—D7,CLK接地址线的译码CS和WR信号的组合,CLR接+5V,输出1Q—8Q通过限流电阻接共阴极LED数码管。
指令:MOV DPTR,#273_Addr
MOVX @DPTR,A
可将ACC中的数据打入到273中锁存。
(5)应用举例二:采用74HC273作为地址锁存器,扩展单片机的地址空间
51系列单片机系统中要接入:
1片大容量4M位的FLASH(AT29C040A),
1片8K字节SRAM(HY6264),
1片实时时钟芯片DS12C887,
扩展1个串口外接Modem(采用16C550),
如何进行单片机的地址空间分配和地址译码?
分析设计:单片机的地址线为16根:A0~A15,可直接访问的数据空间为64k,地址编码范围:0000H~FFFFH,必须进行扩展。
AT29C040A为4M位FLASH,即512Kx8位。共有地址线19根:A0~A18。
HY6264:8KSRAM
DS12C887:114字节
16C550:几十个字节
考虑将AT29C040A分页接入,每页32K,对应地址线为:A0~A14;占用单片机地址空间的低32K:0000H~7FFFH。
采用一片74HC273作为页面地址锁存器, 锁存FLASH的高位地址:A15~A18。该锁存器也需要占用一部分地址空间,和其它几个芯片共享高32K地址:8000H~FFFFH。为了译码简单化,设计每个器件都占用8K地址空间。
故采用GAL16V8来地址译码,ABEL语言的逻辑设计为:
采用Equations(逻辑表达式 地址译码)
CS_FLASH = A15; //0000H~7FFFH:地址范围
CS_MDM = (! A15)# A14 # A13 //8000H~9FFFH
CS_273 = (! A15)# A14 # (!A13) # RD //A000H~BFFFH(只读)
CS_RAM = (! A15)# (!A14) # A13 //C000H~DFFFH
CS_RTC = (! A15)# (!A14) # (!A13) //E000H~FFFFH
Truth_table(真值表方式: 地址译码)
([RD,WR,A15,A14,A13,RTC_WP]-[CS_FLASH,CS_MDM,CS_273,CS_RAM,CS_RTC])
[ x, x, 0, x, x, x ]-[ 0, 1, 1, 1, 1 ];
[ x, x, 1, 0, 0, x ]-[ 1, 0, 1, 1, 1 ];
[ x, 0, 1, 0, 1, x ]-[ 1, 1, 0, 1, 1 ];
[ x, 1, 1, 0, 1, x ]-[ 1, 1, 1, 1, 1 ];
[ x, x, 1, 1, 0, x ]-[ 1, 1, 1, 0, 1 ];
[ 0, 1, 1, 1, 1, x ]-[ 1, 1, 1, 1, 0 ];
[ 1, 0, 1, 1, 1, 1 ]-[ 1, 1, 1, 1, 1 ];
[ 1, 0, 1, 1, 1, 0 ]-[ 1, 1, 1, 1, 0 ];
实际的地址扩展电路如下。访问FLASH的过程:
MOV DPTR,#273_Addr ;设置页面地址
MOV A,#页面数据
MOVX A,@DPTR ;写入到页面锁存
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