固态高频组件的电磁干扰与电磁兼容研究.pdfVIP

固态高频组件的电磁干扰与电磁兼容 (南京电子技术研究所) 周 燕 黄江 摘要:本文介绍了用于相控阵雷达的射频功率组柑包括发射组件和TIR组件)的组成及电磁干扰 作栩叮闷反.对各频段的射频功率组件机壳的屏蔽效能进行了分析和计算，给出了工程应用中高频组件 的电盛兼容(EMC)设计方法 . 1.栩述 臼粉相控阵.达的发展及器件性能的提高，固奋高频组件 (包括集中式发射机中所用的高频发 射组件及分布式发射机中所用的TIR组件)的技术得到了突飞猛进的发展，其战技术指标要求越来 越高。由于，达系统的要求，成本占整个，达成本60%以上的高频组释所需产生的功率越来越大， 而休积尺寸越来越小，.由于固态商频组件中包括的功能模块多，体积尺寸小，商频与低频;大信 号与小信号:数字电路与模拟电路共存，因此，固态高频组件中就存在着严重的电磁干扰(EM). 在进行高频组件设计时，必须采取有效措施，使整个组件具有良好的电磁兼容 ((EMC)性能， 才能达到预期的性能指标。 2.固态高频组件的组成 固态高翔组件 (包括功率放大器组件及TIR组件)是全固态窗达的关锐和核心，它的技术水平 关系到盆个留达系统的性能.典型的固态功率放大器组件及TIR组件的组成框圈分别如图1，圈2 所示: 从组成框圈可以看出，固态高颇组件是集高颇与低频:大信号与小信号;数字电路与模拟电路 为一体的复杂电子设各。 3.固态高绷组件中存在的EMI问反 一般来说形成电磁千扰应具各三个墓本要t:电班干扰颁，辐合途径及敏感设备。这三个要素 在固态离颇组件中同时存在，其中既有大功率的发射晶体管及电派模块，又有功率管的匹配电路及 电纽等辐合途径，同时又有对外界电进泄泥和辐射丰常敏感的低嗓声放大器 (LNA)及机内监侧电 路BITE。而从小型化和模块化方面考虑，内部各摸块之间的信号传物以徽带传输为主，徽带电路 间存在粉互们、串扰、辐射等，因此，整个组件中鱿存在着严重的EMI. 另一方面，由于固态高频组件是产生功率的功率派，除了其内部存在EMI外，它还会对周围 其它电子设各产生干扰.因此.除了要消除其内部的EMU以外，还应防止它干扰周围设备。 1肠 。 .一 一-一~一，，种种户种... 一 - 一 末级 图I.典型的固态功率放大器组件组成框图 图2.典型的丁瓜组件组成框图 4.固态高频组件的外壳设计 对于各种频段的高频组件，其EMC设计考虑的要求不同，这是因为商频组件外壳的EMC性 能与组件的工作频率有着直接关系。 首先外壳设计时最重要的一点是要避免产生腔体效应，如果产生了腔体效应，此时组件的EMI就 成了致命的弱点.其计算方法见参考文献30 166 在某S波段四单元功率放大器组件的研制过程中.就遇到了这个问题。调试时发现组件内部有 很强的干扰，组件的输出功率比设计值小很多 ‘经过计算发现，机壳尺刁d丁好构成了谐振腔，产生 了腔体效应。后来在组件内部加了隔板，改变了腔体尺寸，消除了谐振，得到了满意的结果。 现在我们再来讨论机壳上存在孔洞 如〔通风散热孔)的情况。据资料介绍。直径大于0.5波长 的孔洞具有OdB的屏蔽效能，直径小于0.01波长的孔洞具有足够的屏蔽效能 超〔过60dB)。对于 军品，一般要求孔洞的直径小于0.02波长，对于民品，一般要求孔洞的直径小于0.05波长。 通过计算，我们可以得到组件所处频段与其机壳上孔洞之间的对应关系，见表一: 从表中可以看出，对于工作频段越高的高频组件，要达到一定的屏蔽效能，其机壳上的开孔就 应该越小。例如对于L波段的组件，其通风孔的直径应该小于3mn、这样才能使机壳的屏蔽效能达 到60dB,否则得采取别的措施才能达到EMC设计要求。 5.工程实际中高频组件的EMC措施 在组件的开发设计过程中，采取正确有效的预防措施，就可减小甚至消除EMI。而到组