固态源硒化法制备铜铟镓硒薄膜过程中铟损失的研讨.pdfVIP

化合物半导体和空间用太阳电池及材料 ．401． 固态源硒化法制备铜铟镓硒薄膜过程中 铟损失的研究 于涛 李宝璋：刘芳芳 李凤岩 何青j周志强 孙国忠 杨成晓李长健孙云 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 【摘要】 本文分析了在固态源硒化法制备CIGS电池的过程中造成铟损失的主要原因， 介绍了不同的合金化工艺对于铟损失率及电池性能的影响。通过对合金化工艺 的优化设计使铟的损失得到了明显的控制，并显著提高了薄膜的结晶质量。由 此制备的CIGS薄膜太阳电池的效率达到10．66％。 【关键词】 固态源硒化CIGS薄膜电池金属预制层 of ResearchoftheLossIndiumintheCIGSFabrication ’ withSelenide Vapor LI LIU LI HE YUTao ZHOU BaozhangFangfangFengyanQing Zhiqiang SUN YANG LI SUNYun Changjian GuozhongChengxiao InstituteofPhotoelectronicThinFilmDeviceand 1 Jin，30007 Thcchnology,Nankaiunivcrsity,Tian 0引．言 ．铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池由于其高效率、低成本、不衰退等优点，近年来得到世 界光伏界的高度重视。采用固态源硒化法制备CIGS电池均匀性良好、工艺容易控制，被认为 Shell 是最有潜力实现大规模工业化生产的工艺途径。最近报道的日本Showa Sekiyu公司研 cmx30 制的30 cmCIGS电池最高效率达到14．3％[t1。 电极结构。固态源硒化法是在钼，玻璃衬底上首先溅射沉积Cu-In—Ga金属预制层，然后在硒 等多种二元化合物，其中气态的In2Se是导致In损失的主要原因，同时也造成薄膜内部出现 大量空洞，严重影响了薄膜质量及电池的性能参数【2】。因此关于铟损失的研究和控制对于固 态源硒化工艺来说具有重要意义。 ·402· 中国太阳能光伏进展 1实验 Cu—In—Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积在钼，玻璃衬底上，预 制层的厚度约为1 控溅射方式先后溅射高阻ZnO层及低阻ZnO：A1窗口层，最后蒸镀铝电极，完成电池制备。 及CIGS薄膜的成分，采用荷兰PANalytical公司生产的X’Pert 测试薄膜的结晶相及结晶强度，采用日本OLYMPUS 收层薄膜表面形貌。’ 2实验分析 根据相关文献报道，预制层的晶相结构对硒化中薄膜的相变过程起着重要的作用，而 相的增加相应减少。由于In的熔点低且表面移动性较大，单质In在高温硒化时就会显现液 态聚集现象，导致局部富In与硒的反应如下式：se+In—In2Set。如果在富硒环境随后会有 下面的反应：In2Se 损失的主要原因。所以对预制层合金化工艺的研究及优化就显得尤为重要。 2．1 对预制层薄膜合金化的研究 我们对预制层作了不同温