直流反应磁控溅射TiN薄膜表面形貌研究.docVIP

精品论文 参考文献 直流反应磁控溅射TiN薄膜表面形貌研究 李 丽1 吴 卫2 杨翠丽1 （1、齐齐哈尔工程学院机电系，黑龙江 齐齐哈尔 151006 2、西华大学材料科学与工程学院，四川 成都 610039） 摘 要：研究溅射电流对TiN薄膜表面形貌的影响。结果表明：当其他参数不变的情况下，薄膜表面粗糙度（RMS）随电流的增大先变大后变小。在电流达到3A时，粗糙度达到最小值。 关键词：TiN薄膜；反应磁控溅射；AFM；RMS Abstract: Reserch the effection of sputtering current on TiN film sputtered by DC reaction magnetron sputtering.The result shows that RMS of film surface turns up then down with the current.The value of RMS gets minimum when the current is 3A. Key words: TiN film；reaction magnetron sputtering；AFM；RMS 引言 TiN是低速切削工具理想的涂层材料，可以减轻切削刃边材料的附着，降低切削力，增大进刀量，提高加工精度，维持切削几何的稳定，改善工件的表面质量。此外，TiN也是磨损部件的理想涂层，特别是由于其低的粘着倾向拓宽了在许多磨损系统中的应用。因此TiN广泛应用于成形技术工具涂层，由于TiN涂层具有硬度高、耐腐蚀、不粘性好、化学稳定性好和摩擦系数低等优良性能，大大改善了工模具的工艺性能和使用性能[1]。 1 实验 1.1 　基体的镀前处理。基体为试验玻璃片，其尺寸为22mmtimes;22mmtimes;0.15mm，用乙醇、丙酮经超声波反复清洗，吹干后用签字笔在表面划一直线后立即放入真空室待溅。签字笔痕迹作为掩膜可将在溅射时形成的膜洗掉，以便观察膜的界面形貌及厚度。 1.2 　薄膜的沉积。采用自制的等离子体表面处理机，利用直流磁控溅射方法，背底真空5.5times;10-3Pa，靶基距110mm，工作压强12.3Pa，溅射电流1.5~3A，沉积时间4min，基底不加热。工作气体为高纯N气和Ar气，纯度为99.999%，并保持氩气和氮气之比为3：1，靶材尺寸为Phi;100mmtimes;5mm，靶材为高纯Ti。其溅射原理:溅射前真空室充入高纯氩气，随后启动直流电压，氩气在高压下离解为带电的离子，在电场和磁场作用下，带电离子高速冲击靶，将靶表面原子击出，在电场和环形磁场的作用下，形成柱状等离子束，最后击出的靶原子沉积在基体上，形成薄膜[2]。 1.3 　薄膜的检测。金属TiN薄膜的厚度测量及表面形貌观察是在日本精工SPA4002SP I3800N型电子探针显微镜上进行。测量原理是记录DFM测量中的Cantilever振动的相位变化。扫描探针模式为DFM20。 2 实验结果与讨论 图1-图4分别是溅射电流为1.5A、2A、2.5A、3A时，TiN薄膜表面AFM扫描图。 利用AFM离线软件可以得到所对应样品的表面均方粗糙度（Rms）分别为3.24、4.37、5.68、3.03。 观察薄膜的AFM图可以发现TiN薄膜的表面形貌随溅射电流的变化有着显著的变化。当溅射电流较低时，薄膜表面的沟壑较浅，使薄膜粗糙度较小。随着电流增大，表面粗糙度增高。但当电流增大到3A时，表面粗糙度达到最小。溅射电流低时，沉积到基体表面的粒子扩散受到抑制，薄膜晶体中存在较多缺陷，TiN薄膜表面出现了因扩散限制导致的粗化[3]。当电流达到3A时，，薄膜的迁移率随之升高，TiN薄膜中的颗粒得到良好的生长，与基底附着力较弱的原子将由于再蒸发过程而逸出表面，有利于生成均匀薄膜，从图上看薄膜表面粗糙度开始变小。 3 结论 利用直流反应磁控溅射制备的TiN薄膜表面粗糙度受溅射电流影响很大。随着溅射电流的增大，薄膜表面粗糙度增大，但当电流达到3A时，薄膜表面粗糙度发生逆转，达到最小值。 参考文献 [1] 何玉定.TiN涂层应用及研究进展[J].广东工业大学学报，2005. [2] 郑伟涛，等.薄膜材料与薄膜技术[M].北京：化学工业出版社，2004. [3] Tanaka Y，Gur TM，Kelly M，etal.Barrier behavior of TiAlN film[J].Thin Solid Films，1993.