国外电力电子技术现状及发展趋势研究.pdfVIP

国外电力电子技术现状及发展趋势 中国电器工业协会电力电子分会 张志刚 按本:文是机械部 “电气自动化关键技术之一电力电子国内外发展趋势研究报告，的第 三部分，现刊与此供参考. 一、国内外电力电子技术发展现状 80年代以来，国外电力电子技术飞速发展，其在电控、电源以及各种电气自动化系统中的 应用日益广泛，新的器件不断涌现、电力电子电路日趋完善，数字控制等技术广泛应用，不仅使 电力电子技术在传统的工业、交通、电力冶金等方面应用得到了进一步发展，而且还扩展到 信息、通信、宇宙、家电等一切领域. 1.1国外电力电子器件发展概况 当今，国外电力电子器件技术发展的特点是高、快、精. I，技术发展快 so年代电力电子器件发展到自关断器件的第二代、90年代是复合器件的第三代，预计 200。年后将进人智能化器件时代，10年一代产品.第三代的IGBT在七年中不仅本身发展了 四代，而且在IGBT基础上派生出IGPT,IGCT,BRT及IPM等等,IGBT与电力IC相结合 又开发出器件与装置合一的系统功率智能器件.在短短的3-4年中开发出7-8种新型电力 电子器件.由于IGBT等的发展，已将晶闸管的应用局限在大功率领域，此外，不仅将GTO的 主要应用领域只限于牵引，而且大有可能被大容量IGBT取代;并在中小功率领域将GTR完 全淘汰.90年代中电力电子器件以空前的速度飞跃发展. 2,水平高 晶闸管自1957年间世，40年容量增加了3000倍，现已生产}150mm,8000V3500A,具有过 压自保护的光触发晶闸管.人BB预测到2000年后将生产中200mm以上工。OOOV,6000A晶 闸管.晶闸管和GTO已应用在超高压直流输电.日本已稳定生产今150MM 、6000V 、 6000AGTO,GTO研制水平达到8000V,8000A,80年代进人市场的电力MOSFET目前己达 到200A、60V、2MHZ和50A、500V、100KHZ.IGBT自1988年进人市场以来，现 在IGBT模块的最高水平为4000V,1800A,ABB公司已开发出5000V的IGBT,1994年 日本开发出平板型IGBT,现已达到2500V,1000A.平板型IGBT的开发成功，将IGBT的 应用领域从中、小功率扩大到大功率领域. 1500V 、600AIPM 已上市，不久将生产 2000V,800AIPM.MCT最高阻断电压达到4500V,峰值电流达I000A,最大可关断电流密度 为6000A/cm2.其产品正在系列化，电压等级为500-1500V，电流容量为50-200A. 3,工艺微细 现代电力电子器件的工艺技术是电力电子工艺与大规模集成电路工艺相结合.晶闸管 类器件中工艺最微细的是GTO,其工艺线条的精细是5}Lm,第三代IGBT工艺精细为2pm,第 四代IGBT为IJim,预计下一代IGBT工艺精细为。.5pm以下，而智能化的系统智能器件将与 超大规模集成电路工艺微细化程度相同.由于电力电子器件是高电压、大电流，因此在某些 工艺要求甚至比大规模集成电路还要高， 1、2 国内外电力电子应用发展概况 由于自关断和复合电力电子器件的发展，电力电子装置更加适应社会和技术发展要求， 向着大(大容量)、小(小型、轻量)高(高性能、高精度、高效率、高可靠)、智(智能化、多功 能化)方向发展.这个时期发展的主要特点是: 1启换相电路已经成熟，谐振电路高速发展 自关断电力电子器件的发展使电力电子电路得到了空前发展.自换相电路已经成熟，得到 了广泛应用.PWM 控制的自换相电力电子装置使装置不产生谐波1又可使其功率因数为 l.交流调速的VVVF电路实现了输人电流和输出电流正弦波.近年发展起来的矩阵式逆 变电路是新型交一交变频电路，无须中间直流还节可直接实现变压变频.在大容量变流装置 电采用了三电平PWM电路.80年代后期出现的软开关电路利用谐振原理把开关损耗降为 零，大大地提高了电路的工作频率.过去一直认为难以采用自换相电路的高压直流输电等大 容量领域也开始采用GTO自换相电路，下个世纪将制成MCT直流输电用变流装置. 2,PWM技术已趋成熟，电路高频化得到了空前发展. 国外尸WM技术已趋成熟，正向高、新发展，进人了各种功率级别.从1KHz到IMH:的 DC--DC的PWM技术和开关频率1-20KHZ的小功率异步电机和同步电机调速用的PWM 技术都已标准化.