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宽禁带半导体薄膜制备及其发光性能研究 Study on Preparation and Optical Properties of Wide Band-gap Semiconductor Films 姓 名 汪 洪 学科专业 材料物理与化学 研究方向 纳米材料物理与化学 指导教师 周 圣 明 完成时间 2008 年5 月 宽禁带半导体薄膜制备及其发光性能研究 Study on Preparation and Optical Properties of Wide Band-gap Semiconductor Films 姓名：汪 洪 导师：周圣明 教授 专业：材料物理与化学 安徽大学物理与材料科学学院 2008 年 5 月 2 日 摘要 摘 要 在半导体材料的发展中，一般将Si、Ge称为第一代半导体材料，GaAs、InP 、 GaP等称为第二代半导体材料，而将宽禁带半导体GaN、ZnO等称为第三代半导 体材料。六方纤锌矿结构的GaN和ZnO材料由于具有独特的光电性能，在发光二 极管、短波长激光器、发光显示器件、光探测器等领域有广泛的应用,成为近年 来国际前沿研究热点之一，受到世界各国广泛关注。 本文采用磁控溅射法、PLD和溶胶－凝胶法在Si(111)、Si(100)、γ -LiAlO 、 2 玻璃等衬底上沉积了ZnO薄膜，采用金属有机化学气相沉积法在γ -LiAlO 衬底 2 上制备了GaN薄膜，采用溶胶－凝胶法在玻璃衬底上沉积了掺Al 的ZnO薄膜，并 对薄膜的结构和发光性能进行了表征。论文主要包括以下几个方面内容： 1、研究单晶硅和铝酸锂衬底材料与 ZnO 的匹配。采用磁控溅射法在 Si （100）、Si （111）、γ -LiAlO2 （100）、γ -LiAlO2 （301 ）、γ -LiAlO2 （302 ）衬 底上沉积了 ZnO 薄膜。讨论了 ZnO 薄膜的择优取向和结晶质量与晶格失配率的 关系。并在γ -LiAlO2 （301 ）和（302 ）衬底上生长出了非极性的 a 面 ZnO 薄膜。 2、采用磁控溅射法、脉冲激光沉积法和溶胶-凝胶旋转涂敷法制备了 ZnO 薄膜。并讨论了不同制备方法、不同衬底材料、不同衬底温度、及不同后处理 工艺对氧化锌薄膜特性的影响。用脉冲激光沉积法，在γ -LiAlO (100)衬底上沉 2 积了高质量的 ZnO 发光薄膜，发光峰 （峰位377nm ）半峰全宽仅为96meV 。发 现了生长不均匀的 ZnO 薄膜在光致发光时的反常现象，并分析了可能的原因。 3、用 MOCVD 法在γ -LiAlO2 （100）衬底上制备出非极性的 m 面 GaN 薄 膜，在γ -LiAlO2 （302 ）衬底上制备出了非极性的 a 面 GaN 薄膜。而且 GaN 薄 膜样品有很强的紫外发光峰 （峰位363nm ），m 面 GaN 薄膜发光峰半峰全宽为 128meV，而 a 面 GaN 薄膜发光峰半峰全宽仅为 102meV。 4 、用溶胶-凝胶旋转涂敷法在玻璃衬底上生长了掺Al 的和未掺