电感耦合等离子体源的研究进展(论).pdfVIP

第4期 微细加工技术 №．4 2007年8月 MICROFABRICATl0NTECHNOLOGY Aug．-2007 文章编号：1003-8213(2007)04-0006-05 电感耦合等离子体源的研究进展 杨定宇，蒋孟衡 (成都信息工程学院光电技术系，成都610225) 摘要：在简要回顾传统高密度等离子体源的基础上，重点介绍了新一代的低温高密度等离子体—— 电感耦合等离子体源(ICP)的放电机理，并结合最近的研究进展，系统分析了ICP的性能影响因 素，总结了ICP目前存在的问题，展望了其应用前景。 关键词：电感耦合等离子体；E型放电；H型放电；静电耦合效应；电子能量分布函数；电感线圈 中图分类号：TN3 文献标识码：A 1 引言 传统的光学刻蚀方法由于受到光波长的限制， 目前的刻蚀精度已逼近理论极限，急需研发新一代 的刻蚀工艺。另一方面，大尺寸平板显示器的TFT 驱动电路也需要大面积的均匀si薄膜沉积工艺。电 感耦合等离子体(ICP)作为新一代的低温高密度等 离子体源具有较高的等离子体密度和大面积均匀 a ECR 性，应用于大尺寸基片的精细刻蚀工艺时具有较高 的刻蚀选择性，无需经历湿法刻蚀的烦琐步骤，且工 艺可控，已开始在集成电路的刻蚀中得到应用。此 外，ICP大面积均匀的高密度等离子体和较低的电子 矗f。L。。—辛_J。。。爿F_J一一触 一0三曼 陆垂、厂_。．I★。。、，爿}、一一．4r 温度也适合于沉积高质量的薄膜，且沉积速率高。 2传统的低温高密度等离子体源 到 幕浦系统 证二，三 电子回旋共振等离子体(ECR)是最早实现商用 双短线凋谐器 GHz的微 的高密度等离子体源，如图la所示。2．45 h HPlicOn 波通过石英窗口输入真空腔体，电子在微波场中形 图l 高密度等离子体源的装置示意图 成螺旋运动，并且通过共振等方式吸收能量，当电子 的能量积累到一定程度时，电子与源气体发生非弹 2Pa。为了改善等离子体的均匀性，放电腔体外需放 性碰撞，将气体电离。由于电子的螺旋运动，增加了 置两个大的磁场线圈来约束等离子体。ECR应用于 电子与源气体分子的碰撞，可形成高达1018in’3的 等离子体刻蚀时，较低的气压虽有助于对刻蚀剖面 Pa． 高密度等离子体。ECR的工作气压为0．1 的控制，但由于需将生成物尽快排出，固对真空系统 收稿日期：2007．04-06；修订日期：2007．04-19 作者简介：杨定宇(1976一)，男，博士研究生，讲师，目前主要从事薄膜材料与器件方面的研究。 万方数据 第4期 杨定宇等：电感耦合等离子体源的研究进展 7 提出了苛刻的要求。从整体上看，ECR虽然具有较 中，如图2所示。线圈在射频电流的驱动下，激发变 高的等离子体密度，但设备过于庞大，且造价昂贵， 化的磁场感生回旋电场。电子在有旋电场的加速下 同时受磁场约束等离子体均匀性的限制，加工基片 作回旋运动，与反应源气体分子碰撞将其电离。由 的尺寸也受到了限