导体表面屏蔽电荷的玻色爱因斯坦分布研究.pdfVIP

导体表面屏蔽电荷的玻色爱因斯坦分布 }恩IT 了西安电7科扎大学场致发射实-U室，710071) 暇 I 摘要:本文指出:导体表面杯蔽电荷的分布小服从费米狄r}壳 计分布 币服从坡色}zlP斯坦统计分布 L 下 1。引言 导体内自由电子的分布遵守泡利不相容原1T,在每一个能级内至多容纳一对H旋相反的电子 因此它们服从费米狄拉克统计分布规律。但当导体处在静电场中时 具内部自山电f-将重新分布， 一部分电子将分布到导体表面仁，成为屏蔽电荷，佼导体内静电场消失。表面屏蔽电荷是否仍遵 守费米狄拉克统计分布规律?如果不遵守费米狄拉克统计分布k见律 将遵守何种统计分布规律丫 是本文听关心的问题。 2。带电导体表面电荷分布函数 自1747年富兰克林 研究 “尖端效应”以来，乌手体仁电荷面密度的分布与表面曲丰的关系问题 ，长期未被解 决。 1828年 ，格 林将 静 电场的拉普拉斯方程改写为 一包含等势面曲率的微分方程丁川 dE/l:，2k』门 0 (1) 式中E为场强，k二(kK+k,)/2，称为lA}7点等势面的平均u4率，，范6.k-、为1N点等势面的两个主曲 率。113于格林方程中E为 k的函数， k为 。的函数，if]]。又为 l的函数。因此长期来， 格林方程除格林本人求得它的一个近似解E二一二V(1+kan)/an外，被认为不能求解。 实际_匕从物理的观点看，。和V是k-的两个独立变最，我们利用关系 E二一dV/do 可将格林方程分解为两个独立的方V: dE/E+2k(n)dn二0_ dE、2k(}}dV二)( 很容易得到格林方程的解析解:tZ，3;」。 E一2认V/fexp(2kin)-1} (2) 5V一V2-Vi，为该点沿电力线的电势增量，An=na一n为该点沿电力线的路程增量。 (见 :AV1丁VVaikV(dV, ;I小n()do 分别为函数k(V)在 aV间的’}均流 (等势平均仇)0 数k(n)在do间的平均值(等程平均值 )。它们在简单边界条科一卜可直接积分计算，在复杂边界条件下可用计算机模拟汁算 也可用模 拟实验直接测量。[51 当静电平衡时，导体表面为一等势面。故Y体表面曲率为 k处一点的电荷面密度 17可按下 式精确计算: . . . . . J I