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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会论文集 2008年12月
CCD图像传感器像元动态功耗分析
舒平于奇
(电子科技大学微电子与周体电子学院ULSI集成网络实验室成都610054)
摘 要：从埋沟CCD的像元结构出发，对该器件单元进行电路建模。分别对多晶硅电极电阻的功耗、外延层电阻的功耗以
及信号电荷转移产生的功耗这3种器件在工作时的主要功耗源进行了讨论，并推导了估算公式，且根据估算公式指出了在各
种工作条件下的主要功耗源。最后指出该建模及估算方法同样适合于表面沟道CCD等结构。
关键词：电荷耦合器件电荷转移功耗像元
of Power in
OnePixelofCCD Sensor
AnalysisDynamicDissipation Image
Shu Yu
Ping Qi
andSolid-State
(ULS?Laboratory,SchoolofMicroelectronicsElectmnica,UESTCChengdu6J『0054)
ABSTRACT：Powerin of
one BCCDisdiscussed toitsstructureand
dissipation
pixel according equivalent
circuitmodel．Discussionsfocusonthreemain arereferredto in
sources，which as：1)powerdissipated
in in transfer
electrode，2)powerepitaxial
polysilieon dissipated layer,3)powerdissipatedcharge process．Weget
thedominantsource atdifferent situation．111ediscussionmethodcanbeusedinother
respectively application
CCDstructure．
Device TransferPower Pixel
Key Charge
words：Charge=Coupled Dissipation
比表面沟道CCD高很多，因此当前大部分CCD芯片
1 引 言
都采用BCCD结构。我们从BCCD像元的结构出发，
根据其工作原理，推导出其等效电路，从而估算
CCD在工作时，像元内部产生动态功耗…，该
其工作时的动态功耗，得到相应估算方法。最后
功耗包括多晶硅电极所加的脉冲电压对像元内
根
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