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第 卷 增刊 低 温 物 理 学 报
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年 月 $DEF!3! G%HIF/- %J -%K 4!6L!I/4HI! LD’3E$3 ,
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! $% 缓冲层和’($%
#
超导薄膜的制备及研究
吴安宁 康 琳 孙国柱
杨森祖 吉争鸣 吴培亨
南京大学电子科学与工程系,南京 #)**+,
本文用脉冲激光淀积法在 ( )基片上外延生长 薄膜缓冲层和 超
-./0% )** ! $% ’($%
, #
导薄膜,用 射线衍射扫描分析表明 薄膜为 轴取向
1 !$% ! 2
) 引 言
高温超导薄膜具有广阔的应用前景,因此得到了迅速发展 应用磁控溅射,脉冲淀积等
2
方法已成功的在 , , , 等多种基片上制备出高温超导薄膜 我们知道,以晶格
34% ’35 -/% 67% 2
匹配的单晶片为基片比较容易获得高质量的取向外延薄膜,如果所要制备的高温超导薄膜
与基片的晶格不匹配,在薄膜与基片的界面附近,薄膜的晶格发生畸变,以便与基片相结合2
失配越大,畸变区的厚度越大 当失配很大时,仅靠晶格畸变缓解两者的失配已不够了,必须
2
靠位错来调整,这对于薄膜的质量有较大的影响 加缓冲层可以缓解基片和高温超导薄膜的
2
晶格常数的失配,就是说缓冲层起到一定的过渡作用2
目前,用于 高温超导薄膜的缓冲层材料有: , , , 等 具体选用何
’($% ’35 67% $8%# 394:%, 2
种缓冲层材料和所要淀积的高温超导薄膜以及选用的基片有关,如果基片和高温超导薄膜
之间的失配很大或者某些特定的基片和高温超导材料,可以采用双层或多层缓冲层技术,以
达到缓慢过渡的作用2
晶体为 相结构,其晶格结构较稳定,表面很光滑,并且 与高温超导材
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#
料之间也有很好的化学兼容性,所以它是一种较好的缓冲层材料2 用离轴射频磁控溅射法
[]
生长的有!$% 缓冲层的’($% 薄膜的外延性,晶格结构,表面均有明显的改善2 )
# 实 验
本实验用的缓冲层材料为 ( ),晶格常数 和 的晶格常
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