FLASH+ROM的14MeV中子辐照实验研讨.pdf

第，属全国核电子学与核探洲技术学术年会论文集 Proceed哪 of伽9thNationalConferenceonNuclear日ecrtonics色NuclearDetectoinTeclnology FLASHROM的14MeV中子辐照实验研究 贺朝会1.2陈晓华1王燕萍1姬琳1李国政 ‘ (l西北核技术研究所，西安69信箱16分箱，710024; ，西安交通大学徽电子工程系，西安，710049) 文中给出了国内首次FLASHROM导件的中子辐照效应实脸研究结某.发现28F节A6的14Mev中子 辐照效应不同于以住所认为的单狡子效应，它只有一。-.I.拍误.怕谈发生有个中子注f门值，当中子注f小 于某一个值时，无怕误.当中子注f达到一定值时.几乎同时出砚多个怕误.随，中子注.的场加，.误数增 加.直NPR有`，0变为1.#件在加电下辐皿.辐服后Mikl,怕误比动奋监润的.件少一个f级。随粉读取次致 的增加，怕误数增加，硬.误数也增加，出现不确定性.误.实脸所发砚的.俱大部分为硬带汉，无法用编租 器进行撼除和写入效据。 关桩调.FLASHROM 中子 粗皿效应 1 引言 FLASHROM以其快速电可攘除和电可编程特性，已广泛应用于武器和卫夏电子系统。 中子辐射会使其存贮的数据出错，有可能导致灾难性事故。因此.必须开展FLASHROM的中 子辐照效应研究，它是提高武器和卫星电子系统可靠性的根本途径.国内还役有人做过这方面 的研究，国外只见H.R.Schwartzr1等人做过FLASHROM的I离子辐照实毅的报遭. 2FLASHROM的结构及存贮原理 } 拉。. } FLASHROM存贮单元的荃本结构如图1 所示rat。它有两个姗:一个控制栅和一个位于沟道 1 ，。 ! 和控制栅之间的浮栅，其结构类似于EEPROM. 碑区 i.区 但沟道和浮姗之间的氧化层更薄，电子可以通过 F-N隧道效应或热电子注入机制在浮栩和像区 或沟道之间传物.根据浮姗的带电状态，存贮单元 衬房 就成为耗尽型或增强型的晶体管.对于控制橱上图1PLASHROM存贮单元的羞本给构示龙图 的一定电压，晶体管就处于截止或导通状态，对应于存贮信息00^或勺”。一般份况下，FLASH ROM写入信息前，浮.上无电子，晶体管导通，表示存“1。写入信息的过程就是使电子注入 浮栅，晶体管截止，表示存 “。”。为了减少读写时间，实现电可攘除和电可编程特性，大部分 FLASHROM中还有命令状态器(commandstatemachine)和写状态器(writestatemachine)等 控制单元闭. 3 实验方法 该实验是在兰州大学14MeV强流中子发生器上进行的。实验用器件为28F256A,共6 243 只。辐照前每个字节写入数据55H，即:“。”与.1，相互间隔。其中3只静态不加电(编号为4 #,5#,6#),2只加电(编号为2#,3#)，辐照后读取致据，与辐照前做比较.1只动态监测 (编号为1#)，用存贮器长线浏试系统实时读取数据，统计出错单元及数童。采用活化法侧t 每个器件上的中子at，最大累积中子注A为2.75X10cm。并用裂变室法监渊瞬时中子产 额，用定标器记录总的中子产额，根据器件的位里，计算其上的中子注t，二者误差在士5%以 内。 4 实验结果 4.1动态监侧结果 图2,3是1#,2#器件出错数随中子注f变化的关系曲线。当1#器件上的中子注t达到 1.91X10cm，时，出现376位错误，全为“。”，气，。每个字只有1位出怡.大部分为低位出 错.随粉中子注f的增加，馆误救增加.当中子注f达到2.31X10cm，时，所有0“,131072 位，全变为03.当中子注t维续增加时，存贮器中的数据不再变化。当1#器件出现非单位子 效应错误后，对2#器件进行了动态监侧。当2#器件上的中子注盆达到1.78X10cm，时，开 始出错