FeMnSi记忆合金中应力诱发εM亚结构及生长机制的HREM研讨.pdf

助 锨 财 种 2006竽蜘垡丛 Fe—Mn—Si记忆合金中应力诱发￡M亚结构及 生长机制的HREM研究。 乔志霞1，谷南驹2，李宗民3 (1．天津商学院机械工程学院，天津300134，2．河北工业大学材料科学与工程学院，天津300134} 3．河北省青龙县交通局，河北青龙066500) 辨透射电铳观察了eM的亚结构，并据此就￡M形成机 摘要： 用高分辨透射电镜观察了n25％Mn-4．5％ Si-1％Cr-2％Ni舍金中应力诱发e马氏体(eM)的亚结制提出新的观点，最后通过观察到一种特殊的EM变体 构，得知7夹层和屡错是其主要特征。并搪此就￡马氏 的交叉形态使上述观点得到进一步证实。 体的形成长大机制提出新的观点；￡M相形成时先在层错 2 实验方法 和7夹层处多位置形棱，然后以eM单元层长度方向彼 此相接、宽度方向相互合并的方式长大。通过观察一种 特殊的eM片交叉形态对上述观点进行了证实。 实验用合金采用真空中频感应炉熔炼。铸锭先经 关键词： Fe—Mn—Si形状记忆合金；应力诱发e马氏1200℃保温12h进行均匀化处理，然后再加热到 体；亚结构；生长机制；高分辨显徽像 中圈分类号：TGl39．6 文献标识码：A 火处理以去除锻造应力。尺寸为lmm×10ram× 100ram的拉伸试样由线切割加工获得，线切割的试样 文章编号：1001-9731(2006l增刊一0684—03 1 引 言 于1000℃固溶处理1h，随后水淬。试样在室温拉伸变 自1982年A．Sato等人在Fe-Mn-Si合金中发现 行，应变速率2mm／min。 形状记忆效应以来，人们对其形状记忆的相变机制做 了很多研究，已经证实Fe-Mn-Si形状记忆合金中的形 120kV，高分辨是利用的PhilipsCM200，操作电压 状记忆效应源于应力诱发7一￡马氏体相变及其逆向 200kV。电镜样品制备过程：在拉伸试样上取小试样， 变【l’2]。与钢中的马氏体相变不同，7一￡马氏体相变 先经化学减薄，再经电解双喷而成，电解液为10％高 较特殊，其晶体学非常简单，相变时只需1／6(112不 氯酸+90％无水乙醇。 全位错沿母相中每隔一层{111)面滑动，即可完成晶格 转变[3]。此类合金具有很低的层错能，￡M可由母相73实验结果及分析 中的层错直接形核，借助外力层错扩展，从而eM长 图1(a)是合金经拉伸变形4％后的透射电子显微 大[4]。然而，由于￡M片非常薄，在透射电镜下呈细片 像。图中显示了一条约200nm宽的e马氏体带，可见 状，其亚结构看不清楚，因此关于其亚结构以及亚结构 沿其宽度方向衬度明显不均匀，黑自相间。 与￡M生长机制的关系一直没有定论。本文利用高分 图1 应力诱发￡马氏体TEM像及相应的电子衍射花样 1 TEM and Fig diffractionofstress—induced￡martensite imagecorrespondingpattern -基金硬目：天津商学院青年科研培育基金资助