GaAs++HBT的抗辐照特性及其与GaAs场效应器件和硅双极晶体管的比较研究.pdf

GaAsHBT的抗辐照特性及其与 GaAs场效应器件和硅双极晶体管的比较 曾庆明 蔡克理 东 熠 焦智贤 王全树 李献杰 敖金平 赵永林 (专用集成电路国家级重点实验室，电子工业部第十三研究所.石家庄市，050051) 一 引言 : 化合物半导体的异质结双极晶体管(HBT)是八十年代初发展起来的，当今实用器件中 工作速度最快的一种化合物半导体器件，了解其抗辐照特性对HBT的应用以及作为一种新型 抗辐照器件的开发具有重要意义。为了较全面、深刻地了解HBT的辐照损伤特性，我们还选 取了几种同是双极性模式的硅双极晶体管，以及同是GaAs基底的GaAs肖特基场效应晶体管 (MESFET)和GaAs高电子迁移率晶体管 ((HEMT)同时作辐照试验，以求比较完整地了解各 种器件辐照损伤和退化机理。 二.辐照损伤机理: 在核爆产生的各种辐照中，中子和丫射线都不带电，穿透力极强，因之对器件影响 最大、研究也最多。此外在空间环境中，对单击扰动 ((SEV)又称单粒子效应研究较多。 中子和丫射线辐照在半导体中产生很多缺陷，成为载流子陷阱，可以认为载流子密度的 减小，与辐照剂量成正比，称之为载流子去除效应。当杂质浓度不很高时，如果不计电 离杂质对迁移率的贡献，载流子迁移率u的倒数也近似与辐照剂量成正比退化。辐照引 入的缺陷还引起少数载流子寿命:降低，(1/T)也近似与辐照剂量成正比退化。辐照后 半导体的载流子浓度、迁移率、电导率和少数载流子寿命等均减小。 双极晶体管受辐照后变化最灵敏的参数是电流放大系数.当辐照使寿命降低时，基 区和发射结空间电荷区的体复合和表面复合都成比例增加，引起直流电流放大系数下 降。在小电流时，由于发射结空间电荷区复合和发射结空间电荷区表面复合在基极电流 中占主要成分，而这部分随辐照成比例下降，使晶体管小电流0下降比大电流0下降更 快一些。另一较敏感的双极晶体管参数是饱和压降Vces。当辐照后，由于载流子去除效应 使收集区的载流子浓度下降，又由于载流子寿命下降，使集电区由少子注入引入的电导 调制区变薄，二者都使饱和压降增加。在高速集成电路中，由于器件直流特性的退化， 以及载流子迁移率的降低，都将引起集成电路速度特性退化口 HBT的基区和发射结空间电荷区都很窄，其中的载流子寿命都己经很低，相关的电 流增益不易引起变化，集电区也很窄，集电区载流子寿命也很低，饱和压降不大，也不 易引起大的变化，加之GaAs优良的抗辐照特性，为HBT及其IC良好的抗辐照特性打下 基础。在AlGaAs/GaAsHBT中，由于表面复合很强，加之没有良好的自然保护膜，其耐辐 照能力究竟怎样，至今未见详细报道。 三. 试验方法和试验结果: HBT单个器件发射区图形为两条，总面积 2X4XBum`.收集区以外用多重注入H和0 离子来隔离。典型器件在比较宽的中、小电流范围内，Ih-Veb的。因子接近为2，亦即 是典型的发射结空间电荷区复合为主的特性，只有当电流比较大以后，电流放大系数才比 较均匀，n值才由2变到接近1，此时基区夏合己占主导地位。由于HBTIC的延迟时间较短， 我们制作了单片九级HBT直接锡合逻辑环形振荡器， 由环形振荡器的振荡周期T和级数n可 推出平均延迟时间.:J，!。“P/2n.亘接祸合逻辑门的负载电阻用Ni-Cr电阻，阻值500 173 欧姆.电路中HBT取单发射极条4XSum=.作比较研究的其他双极型器件和其他GaAs器件大 多由市场购买。先后进行了三组辐照试验。(a).用钻60源辐照，Y剂量率3127rad(Si)/ 分，总剂量2E6rad(Si)，(b).用钻60源辐照Y剂量率200rad(Si)/分，总剂量3E6rad (Si)和5E6rad(Si)，(c).中子辐照，总剂量1.1X10n/cmz，几组辐照试验前后GaAs HBT和硅双极晶体管电流放大系数退化的相对比Rn/0O的典型结果给出如下表: 器件型号、种类 Y辐照 0n/00 Y 2E6rad (Si) Y 1E7rad (Si).