GaAs++MMIC中氮化钽薄膜电阻的制备技术研究.pdf

GaAsMM工C中氮化担薄膜电阻的制备技术 周剑明 钱 峰 南京电子器件研究所 210016 摘要:本文介绍了在GaAsMMIC中Ta,N薄膜电阻制备技术.给出了制作薄膜电阻的基本工艺条件及方块电 阻值的控制方法，对薄膜厚度的均匀性，薄膜厚度、应力与氮气流量的关系，以及方块阻值与氮气流童的关 系进行了实验与分析.在直径为3英寸的GaAs园形衬底上，电阻均匀性可控制在t1%以内，通过控制氮气 流童可以很方便的获得20一5052/sq.的Ta.N薄腆电阻.文中并对Ta.N薄膜电阻制作后的热退火、热稳定性 及相关的工艺制作条件进行了讨论、分析。目前，此方面工作仍在进一步开展进行中。 一、引言 在单片微波集成电路的偏置电路和匹配电路中，都要求电路元件有很高的精度和稳定性。 这就要求在MMIC的制造过程中，作为主要元件的薄膜电阻，能得到精确的控制、并有着很 高的可靠性。为了保证3英寸GaAs园片上制作MMIC具有较高的成品率，也要求薄膜电阻 在整个园片上、片与片之间、批与批之间都有高度的均匀性。 氮化担作为电阻，可用于单片微波集成电路 (MMIC)和大规模集成电路 (VLSI)中。 暴露在空气的表面，能形成一保护氧化层，使担电阻在一定温度范围内能保持化学稳定性。 因为氧化担对热、氯化等离子反应、强酸等具有阻挡性，所以它也是一种扩散阻挡层。薄膜 经溅射形成后，只要不经过太高的温度 ((600℃)，则其中所含杂质和晶格结构都己固定 下来。由于有着高度的稳定性，所以可以应用于MMIC制造中，也可作为标准电阻应用于电 子仪器中一一如电子天平。氮化钮可以淀积在诸如GaAs、Si、蓝宝石以及其它各种衬底上。 但是一种高熔点的难熔金属，除了利用电子束技术外，不易蒸发。广泛接受和采用的方 法是溅射淀积。用反应溅射容易形成、也易于控制氮化但薄膜的形成，这种薄膜具有理想的 高电阻率、低电阻温度系数 (TCR)和很强的稳定性等特点，表I中列出了氮化担与其它材 料的性能比较。利用直流磁控溅射制备出了氮化担薄膜电阻，将其应用于3英寸GaAsMMIC 制造中，开发出了最佳的工艺条件。本文给出了直流磁控溅射工艺的详细内容。 材料 方块电阻 电阻温度系数 控制箱度 稳定性 (Cvsa.) TC义x10令c) (%) i%150℃，10n. cr )0- 500 士100 士 0.1 0.5 Ti 印 ~ 2000 -100-+200 士 I 0.8一 1.5 Ni-Cr(80:20) 10- 300 (士100 士 0.01 0.2 Ta 80- 200 1200 士 0.01 1 Ma 500- 900 -600-+1000 0.4- 1 T湘 10- 300 哎士100 士0.01 0.1 CrSiO(70:30) 500~ 2000 公 50 士 I 0.5 Ta,N 50- 200 土100 士0.01 0.1 CaA日 3~ 100 幻 以0 365 二、工艺参数和实验结果 制备出的氮化担薄膜电阻，是用备有手动真空锁和冷泵真空室的溅射台完成的石在直