GSMBE生长SiGe材料的动力学分析研究.pdfVIP

GSMBE生长SiGe材料的动力学分析 成步文 于 卓 李代宗 黄昌俊 余金中 王启明 中国科学院半导体研究所 北京 100083 1.引言 固体源 MBE(SSMBE)、气体源 MBE(GSMBE)和超高真空CVD(CHV/CVD)是生长优质 SiGe合金材料的主要方法。GSMBE与UHV/CVD方法比较接近，有时难于界定。生长SiGe 合金时，GSMBE与SSMBE相比有明显的优点，如不需要高温蒸发源炉、更换源时不需要破坏 生长室的真空、可以在图形衬底上进行选择外延、可以有效地抑制Ge的偏析等Il,在GSMBE 生长SiGe合金时，Ge源一般用GeHa,而Si源主要有两种，SiH4和Si2H6。研究发现在Si(100) 衬底上SiA 比S政 有更高的反应吸附儿率和更低的反应能，更有利于实现低温生长，而且用 前者更易于生长出高质量的SiG。材料121。本文用SO16和GeHa为源研究了Si和SiGe合金的 GSMBE生长速率、合金组分x值等随生长温度和气体流量等的变化规律，并用简单的动力学 模型对其进行了讨论。 2.实验 衬底采用2英寸的n型Si(100)片，电阻率为3-Mcm。衬底的清洁处理采用Shiraki方法，并 且进行腐蚀，以除去样品在抛光过程中形成的表面损伤层。衬底在预处理室经 300℃除气后被 送入生长室，在850℃的高温下脱氧10分钟，用RHEED观察表面为2XI再构的清洁表面时， 即可以降到所要的饵度进行生长气体源为SiZ1-b[5MGeHa,Si2H6流最为3-4sccm,Get-14的流量 为0.53sccm-0.8sccn7,生长温度为5500C-8500C。外延层的组分及厚度用X光双品衍射及俄歇 谱进行测量。__/ 3结果及讨论 Si2H6在Si(100)上的吸附反应过程可以分以F四步: Si,H6(g)-J--2SiH3(a) SiH3(a)-!*SiHZ(a)+H(a) 2SH2-`4SiH(a)+Hz(g) 2SiH(a)}2Si(a)+H2(g) 其中第一步在室温下即可进行，第二和第三步在较低的温度下(350*C)就能很快完成，所 以生长速度主要由第一和第四步控制3[[1。表面H的覆盖率)可以写为: 鲁一2J,.,2ii,k,(1“·，’一40‘11 这里Js,,x。是Si2H6的分子流密度，如果定义悬挂键的覆盖率0,=1-0，则有 k H,,=— ((1+8k,J,,z,)/1Z 一I) (1) 4k,J21” k, Si的生长速率为 _2Ss,,,,Js,,.v,心- R, Cj6a (2) N 习 | 0 1 奋 马 阳 肠 . 1 u ( 健 7 州 留 咨 ‘ 启 ;:卜污全二三二1 龙 下 叫 崖 二 告 1 签 ， 口 6 0 ﹄ . ‘ \ I 一\~