HDI和IC封装用高性能覆铜板的开发研究.pdfVIP

of CCLforHDIandIC Developmenthighperformance package HD l和lC封装用高性能覆铜板的开发 Code：S-002 Paper 辜信实 广东生益科技股份有限公司 523039 作者简介 工作单位：广东生益科技股份有限公司，总工程师、总技术顾问。 从事生产和新产品开发。 摘要：本文重点介绍开发HDI和IC封装用高性能覆铜板的紧迫性、工艺路线及初步成果。 关键词：封装基板、氰酸酯、聚胺酰亚胺。 Abstract：This introducesthe ofthe ofCCLforHDIandIC papermainly urgencydevelopment package， relatedtechnicaland results． designearly 一、前言 随着印制电路的轻薄化、多层化和半导体安装技术的发展，要求基板必须具有高Tg、高耐热 性及低热膨胀系数(CTE)等性能，以提高互联与安装的可靠性。同时，随着通信技术的发展和计 算处理速度的提高，基板的介电性能也引起人们的关注，要求板材具有更低的介电常数和更低的介 质损耗。 氰酸酯及改性氰酸酯，由于具有高Tg、高耐热性、低热膨胀系数及优秀的介电性能等特点，使其 在高密度互连(HDI)多层板和IC封装基板领域中，得到广泛应用。但此类覆铜板的工业化生产， 目前国内尚属空白。 随着电子工业的迅速发展和市场需求的日益递增，开发适合HDI和IC封装要求的高性能覆铜 板，势在必行! 二、工艺路线 1、氰酸酯及其改性 氰酸酯(简称CE)是一类含有一O—C=N官能团的树脂。它是由酚类化合物与卤化氰反应制 得。反应通式如下： Ar-OH+X—CN—-Ar-OCm N+HX 式中，m为芳香族化合物，x为卤素(一般为溴)。氰酸酯在加热和催化剂的作用下，生成 具有三嗪环结构的聚合物： ／k ／N弋 ～Ar-O—CC～O—Ar～ —Ar_O—C三N 催化剂 |I I N＼c／／N I O (氰酸酯) (三嗪环结构)I Ar～ 高度交联的三嗪环结构，加上大量的芳香环、芳杂环结构，使氰酸酯固化物具有很高的耐热 由于三嗪环结构高度对称，极性很小，加上交联密度高，即使有微量的极性基团、也只能有很 X 小的旋转运动，因而在很宽的温度范围(．160～220。C)和频率范围(1 低且很稳定的介电常数(2．8～3．2)和介质损耗(0．002～0．006)。 氰酸酯还具有优秀的尺寸稳定性、低的吸湿性及良好的工艺性。这使其在大型电子计算机、卫 星通讯、宇航材料等方面，有着广泛的应用前景。 氰酸酯除能自聚外，还可以与氨基、酸酐、环氧基、双键等多种官能团发生