HgTe小团簇几何结构与电子性质的第一性原理研讨.pdf

增 刊 原 子 与 分 子 物 理 学 报 ! $%%’( ## 年 月 )**+ , -./0123.425.6782196.3:8/320;=!78! 2 ?)**+ # !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 文章编号： （ ）增刊 @***A*B+,)**+ A*@,*A*B 小团簇几何结构与电子性质的 5% C 第一性原理研究 王新强 ，罗 强，何焕典，李 波 （重庆大学数理学院，重庆 ） ,***,, 摘 要：本文基于密度泛函理论的第一性原理方法，在广义梯度近似（ ）下，计算了团簇 （ ）（ DD2 5% !E C ! @ ）的基态几何结构、最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙、结合能等 比较了团簇（ ）和 !F ? 5% C ! （ ）基态结构，能隙与结合能随尺寸变化关系的差异等 8G!% ? ! 关键词： 团簇；基态结构；结合能；能隙 5% C 中图分类号： 文献标识码： .H+@?@ 6 能 除此以外，寻找和确定量子点的基态结构，也是 @ 引言 ? 研究的一个难点，目前也没有一个较为有效的方 半导体团簇由于其独特的物理性质和重要的 法 因此，进一步开展这方面的研究对于我们充分 应用前景，在过去十年里引起了人们高度的重视? ? 认识量子点及团簇的性质是十分必要的? 近年来，通过胶体化学已成功合成出高质量的 — 族半导体中， 的性质比较特殊， J# 5% 簇半导体量子点（ 、 、 及 ），并 C # 8G! 8G!%8G5% 5%