HL一1M等离子体软调辐射强度扰动及电流剖面分析研究.pdfVIP

HL-IM等离子体软X辐射强度扰动及电流剖面分析 郭千城刘 仪钟云泽 付炳忠董贾福 核 业「西南物理研究院，成都 610041 本文主要根据多道软X射线探测器阵列所观测到的等离子体软X辐射强度及其扰动， 分析HL-IM等离子体的电流密度分布。在欧姆放电中，用常规送气((gas-puffing)，分子束注 入(molecularbeaminjection)和弹丸注入(pelletinjection)`,,:加料方法都可以改变等离子体的 电流分布，而且在电流平顶段可以得到具有负剪切磁面的中空电流剖面。弹丸注入可以使 峰化的电流分布变平，也可以引发出中心安全因子Q(0)1的峰化电流分布。 1引言 准确测定等离子体安全因子(8(r))是研究电流密度分布的最好方法，但Q前我们还不具备 作此项诊断的条件。不过通过观测软X辐射及其扰动，研究锯齿和不稳定模的行为特征， 可以定性了解和分析等离子体中心Ix.域的电流分布。不少装置已通过测斌安全因子(9(r)) 研究了不同9分布条件下的锯齿行为。JT一在60111弹丸加料以后注入中性束或加入ICRF. 观测到了具有双反转半径的锯齿活性，诊断出等离子体中心存在两个q司 的磁面。这种空 心电流分布具有好的约束性能.在。OUBLET-川托 卜马克上曾经用double-sawtooth去研究 等离子体的磁面分布[21。JETI3]在PEP(PelletEnhancedPerformance)放电模式下通过 分析MHD活性研究了等离子体中心区域的负剪切。TFTR上观测到在负剪切等离子体中的 磁轴外锯齿，用双撕裂模理论对实验结果作了比较和拟合[41.在FTU装置上，用磁轴外 低杂波电流驱动，快电流上升段的电子回旋共振加热以及欧姆放电中的杂质积累，都得到 了负剪切磁场位形5〔1。我们在HL-IM装置上观测了弹丸注入到等离子体后中心区MHD活 性的多种变化，如锯齿周期被拉长或被抑th等。从这些变化中可以看出弹丸进入等离子体 后电流分布发生了变化，通常是分布变得平坦甚至中空，有时弹丸也能使电流峰化并激发 出中心MHD不稳定性。用常规送气和分子束注入方法加料，提高电子密度，已经从软X 射线信号上观测到了磁轴外锯齿(off-axissawteeth)和环形破裂(annularcrash)现象，这表明等 离子体具有负剪切磁面的特征。 2结果及分析 2.1弹丸注入 图1示出了弹丸注入后多道软X辐射及其扰动，从它的扰动行为的变化可以推断出电流 分布的变化情况。在电流平顶段先后注入两发弹丸，第一发弹丸注入前，等离子体经历了一 171 段锯齿化过程，临近注入前锯齿幅度很小但m=1模明显可见，q=1有理面的存在表明等离 子体电流旱现峰化型分布。弹丸注入后由于Te急剧F降，软X辐射强度(Isx)也跟着急剧减 小，q=1面消失，随后Isx慢慢上升，信号上叠加了2/1和3/2模 (图1)。在237ms时刻 发生了一次磁轴外破裂，我们称它为环形破裂.第246ms时第二发弹丸注入诱发了等离子 体的第二次破裂，这是土破裂，我们称它为轴心破裂(corecrash).在第一和第 ‘两个弹丸之 间 (相隔约32ms)，软X信号上的扰动呈现出一个大的复合州锯齿，这类破裂的出现可 以初步判断出这段时间等离子体电流至少很平坦甚至是中空的。由ECE诊断得到的电子温 度是中空分布，当然电流中空时温度不一定中空。第二发弹丸诱发了等离子体轴L破裂(此 轴心破裂属于一种小破裂)，接着等离子体进入长达45ms的锯齿稳定化放电状态，稳定化 的后期m=1模出现，幅度增长，进而过波到锯齿化状态。两发弹丸注入前后的温度分布示 D}图2。 2.2gas-puffing加料 在高密度欧姆放电中，采用gas-puffing方法送入气体，从多道软X射线信号上也观测到 了中空(或平坦)的电流分布·图3中环形破裂的特征比较明显。此炮放电的Ip=200kA. Bt=2.3T,瓦=5.8x1013cm-3,qa=3.9,锯齿反转半径r,=7cm。由于n,(0)IIIT。较高，软 X辐射较强，中心Isx信号墓本处于饱和，但磁轴外破裂的特性消晰可见。从250ms开始直 到蛇形扰动(snakeperturbation)形成前结束，等离子体温度呈中空分布。图4是温度的时空 分布图，Te中空对应着密度和杂质的峰化。它是由杂质聚中引起的。从热辐射测傲所得到 的等离子体辐射总功率分布峰化的程度也可看出电子密度和杂质是峰