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Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm 半導體製程技術導論Chapter 1 導論 Hong Xiao, Ph. D. hxiao89@ 目標 讀完本章之後，你應該能夠： 熟悉半導體相關術語的使用 描述基本的積體電路製造流程 簡明的解釋每一個製程步驟 半導體製程與你的工作或產品有相關性的連結 主題 簡介 積體電路元件和設計 半導體製程 未來的走向 簡介 第一個電晶體, ATT貝爾實驗室 , 1947 第一個單晶鍺, 1952 第一個單晶矽, 1954 第一個積體電路元件, 德州儀器, 1958 第一個矽積體電路晶片, 費爾查德照相機公司, 1961 第一個電晶體, 貝爾實驗室, 1947 第一個電晶體的發明者 1958年德州儀器的傑克、克畢製造出的第一個積體電路晶片(棒) 1961年費爾查德攝影機公司在矽晶圓上製出的第一個積體電路 摩爾定律 摩爾定律(英特爾版本) IC 的尺度---積體電路晶片的積體化層級 整體的半導體工業道路圖 晶片尺寸與晶圓尺寸的相對性展示 1997年NEC 製造最小的電晶體 IC 幾何上的限制 IC 元件的限制 原子大小： 數個埃( ?) 形成一個元件需要一些原子 一般最後的限制在100 ? 或 0.01 微米 大概30 個矽原子 IC 設計: 第一顆IC IC 設計:CMOS 反相器 CMOS反相器的佈局圖和光罩 相位移光罩展示圖(光罩/倍縮光罩) 光罩和倍縮光罩 晶圓製程 * 照片提供: ATT 檔案財產，授權同意本書翻印使用 約翰?巴定，威廉?肖克萊 和 華特?布萊登 照片提供: Lucent Technologies Inc. 照片提供: 德州儀器 照片提供: Fairchild Semiconductor International 1964年哥登?摩爾(英特爾公司的共同創始人之一) 價格不變之下，電腦晶片上的元件數目，幾乎每12個月就增加一倍 1980年代減緩至每18個月 到目前仍屬正確，預期可以維持到2010年 Transistors 10K 100K 1M 10M 1975 1980 1985 1990 1995 4040 8080 8086 80286 80386 80486 Pentium Pentium III 1K 2000 超過 1,000,000,000 SLSI 特大型積體電路(Super Large Scale Integration) 10,000,000 ~ 1,000,000,000 ULSI 超大型積體電路(Ultra Large Scale Integration) 100,000 ~ 10,000,000 VLSI 極大型積體電路(Very Large Scale Integration) 5,000 ~ 100,000 LSI 大型積體電路(Large Scale Integration) 50 ~ 5,000 MSI 中型積體電路(Medium Scale Integration) 2 ~ 50 SSI 小型積體電路(Small Scale Integration) 晶片內的元件數目 縮寫 積體化層級 300~400 300 300 200~300 200 200 晶圓尺寸 (mm) 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.3 40M 25M 13M 7M 4M 2M ASIC 電晶體數目/cm2 電晶體的單位成本(千分之一美分) 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 90M 50M 25M 13M 7M 4M 微處理器 電晶體數目/cm2 電晶體的單位成本(千分之一美分) 0.0002 0.0005 0.001 0.003 0.007 0.017 64G 16G 4G 1G 256M 64M DRAM 位元數/晶片 位元的單位成本(千分之一美分) 0.07 0.10 0.13 0.15 0.25 0.35 最小圖形尺寸(m m) 2007 2004 2001 1999 1997 1995 以0.35微米技術製造的晶粒 以0.25微米技術 以0.18微米技術 300 mm 200 mm 150 mm 晶片或晶粒 超淺接面 下匣極 上匣極 源極 汲極 介電質 n + n + P型晶片 小於0.014 微米 匣極的寬度 照片提供: NEC Corporation 原子的大小 照片提供: 德州儀器 第一層金屬, AlCu P型壘晶層i P型晶源 N型井區 P型井區 PMD p + p + n + n + W 第一層 金屬 Contact P型井區 N型井區 多晶矽匣極和局部連線 N-通道元件區 N-通道 Vt N-通道LDD