原位掩模生长时间与GaN外延层性质的关系研究.pdf

原位掩模生长时间与GaN 外延层性质的关系† 李忠辉 董 逊 张 岚 （南京电子器件研究所，单片集成电路与模块国家重点实验室，南京 210016 ） 摘 要：利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD ）生长了低温SiNx 纳米尺寸掩模及GaN/SiNx/Al2O3 外延结构， 研究了SiH4 处理时间与GaN 外延层的晶体质量、发光及电学性质的关系。当SiH4 处理时间为120s 时，GaN 外延 层中刃位错和螺位错密度、光致发光谱FWHM 、方块电阻分别达到最小值。 关键词：MOCVD ；GaN ；位错密度 1 引 言 8 10 -2 GaN 异质外延材料中的较大晶格失配导致高密度的位错（10 ~10 cm ），直接影响晶体和光、 电器件的质量。除利用低温缓冲层、插入层、多缓冲层等方法改善GaN 薄膜晶体质量，还有SiO 、 2 [1-4] SiNx 等掩模方法 ，但掩膜的制备和刻蚀等工艺比较繁琐，而且容易引起外延材料的污染。目前的 原位掩模外延技术克服了上述掩模方法的不足，被认为是降低GaN 外延材料位错密度的较为经济和 [5, 6] 有效的手段 。通常 SiNx 原位岛状掩模有如下生长方式：在成核层之后生长低温掩模，或者在成 核层之前生长高温掩模，还有在高温GaN 外延层中插入薄的高温掩模。本文是利用金属有机物化学 气相沉积（MOCVD ）技术研究成核前低温原位SiNx 岛状掩模生长时间对GaN 外延层性质的影响。 2 材料生长 利用MOCVD 在（0001 ）蓝宝石衬底上生长含有SiN 掩模的GaN 外延层，NH 、TMGa 和稀 x 3 释SiH 分别作为N 、Ga、Si 源，H 作载气。GaN/SiN /蓝宝石结构的生长过程如下：蓝宝石衬底经 4 2 x 高温处理和氮化，降温后 SiH 通入反应室处理表面，然后生长 20-30nm 低温 GaN 成核层，最后生 4 长约2.5µm 高温GaN 外延层。三个GaN 薄膜样品除了SiH 处理时间分别为90s 、12s、150s 外，SiH 4 4 流量均为 1.0sccm。采用325nm 波长的He-Cd 激光器作光源测试样品的光致发光谱（PL），高分辨 x 射线衍射（HRXRD ）和非接触电阻测试仪分别测量晶体质量和电学特性。 3 结果与讨论 图1所示为SiH 处理时间与GaN 外延层晶体质量的关系。由图可知，GaN 外延层的(002) 和(102) 4 面? 模式的FWHM 值变化趋势大体一致。随着SiH 通入反应室时间由90s 增加到 150s，(002) 面 4 和(102)面的FWHM 均先减小后增加，在 120s 时达到最小值257arcsec 和286arcsec 。 表 1 所示为SiH 处理时间与GaN 外延层中位错密度的关系。HRXRD 的? 扫描模式的FWHM 4 能够反映晶体的质量，一般地，GaN 外延