厚层聚酰亚胺介质层制备及湿法刻蚀工艺研讨.pdf

厚膜／薄膜工艺 厚层聚酰亚胺介质层制备及湿法刻蚀工艺研究 戴敏 刘刚 王从香 (中国电子科技集团公司第14研究所，南京210013) 摘要：厚层聚酰亚胺介质层制备及刻蚀工艺是微波多层电路的基础和关键工艺，其厚度一致 性、均匀性、可重复性、稳定性决定了微波电路的性能。本文通过对聚酰亚胺材料的选择、旋涂 工艺控制解决了厚层聚酰亚胺(PI)介质层的制备难题，制备的厚层介质厚度为1l±1¨m。通过 控制NaOH溶液浓度和温度的方法实现了厚层介质的湿法刻蚀，蚀刻边缘坡度为10。左右。 关键词：微波电路 厚层有机介质 聚酰亚胺(PI)湿法刻蚀 ofThick DielectricandResearch PreparationPoly7imide Layer onWet Process Etching Dai Liu Min GangWangCongxiang (No．14ResearchInstituteofChinaElectronics 210013) TechnologyCorporation，Nanjing Abstract：Theofthick dielectricandthe arebasisand preparationpolyimide layer etchingprocess of key microwave circuit．Itsthickness and process multiplayer the ofthe a the determine microwavecircuit．This solutionto difficult stability property paperpresents ofthe ofthick dielectric meansofselectionofPImaterialand problempreparationpolyimide layerby controlof thickdielectricthicknessis wet ofthick spinningprocess．Theprepared ll+lBm．Theetching dielectricisrealized themethodof NaOHsolutionconcentrationand through controlling temperature． The edge isabout100． etchingsteepness Thick words：Microwavecircuit dielectric Key organic Polyimide(PI)Wetetching 1引言 10怕Qcm，击穿电压大于20kV／mm，具有非 聚酰亚胺属于高分子化合物，具有很多 常良好的电绝缘性，同时分子结构稳定，化 的优良性能：如较低的介电系数，良好的平 学稳定性、以及有很高的弹