电力电子技术的回顾与前瞻(1)研究.pdfVIP

电力电子技术的回顾与前瞻 陈治明 钟彦俪 西安理工大学 710048 电力电子技术是能源技术、电子技术和控制技术三大领域的交叉，其主要功能是利用大 功率半导体器件及其相应的控制与保护电路实现对电能某些参量和特性 (电压、电流、频率、 相位、相数、波形等)的控制与变换，以实现电力的某些使用目的，并提高使用的质量与效率。 对电能控制与变换技术的回顾其实可以追朔到电子管时代，但电力电子技术一词的出现 却是电子管己基本退出历史舞坛以后的事情。在科技发展史上，1947年底问世的晶体管是信 息时代的报晓金鸡，随后不到十年，可控硅整流器 (SCR,现称晶闸管)即在晶体管渐趋成熟 的基础上问世，从而揭开了电力电子技术长足发展的序幕，而稍后提出的集成电路技术方案 则吹响了微电子技术更加迅猛发展的号角。此后如年间，电力电子技术作为一个经络分明的 学科领域与微电子技术基本上保持着平行的发展，同时也不断借助于微电子技术的杰出成 果，使新型电力电子器件层出不穷，并最终产生了把电力电子器件与微电子电路在同一芯片 上集成于一体的功率集成电路。此过程如图1简略所示。 晶体管问世 1947年12月23日发明，1948年7月I日发表，1931年蔺用 电力电子器件技术~一一一一 二卜、、 徽电子殡术 可控硅问世 硅集成电路向世 19“年发表论文11957年出仓产品，1963年正名为晶阅， 195，年发表论文和专利，1931年城翻产昌 图1 电力电子器件的发展及其微电子技术背景 .236 · 作为电力电子技术的基础，电力电子器件的制造技术己经走过了40余年概念不断更新、 性能一再换代的发展历程。以硅整流器和可控硅为代表的第一代电力电子器件，以其体积小、 功耗低等优势首先在大功率整流电路中迅速取代了老式的汞弧整流器，取得了明显的节能效 果，并奠定了现代电力电子学的基础。但是，这一代器件只能控制导通而不能控制关断，且 工作频率较低，处在这个阶段的电力电子技术领域相对说来也比较狭窄。自70年代中期起， 随着电力晶体管(GTR)和门极关断晶闸管(GTO)等通断两态双可控的双极器件以及功率MOS和 静电感应晶体管(SIT)等通断两态双可控的单极器件的开发和兴起，电力电子技术遂日益完善 而臻成熟。有人将这一类具有自关断能力的器件称为第二代电力电子器件。这一代器件中还 包括结合了单、双极器件双方优势于一身的、在80年代才开发出来、90年代后期才普及应用 的绝缘.晶体管(IGBT)以及至今尚在开发的MOS控制晶闸管(MCT)。这一代器件的一个共同特 点是采用集成器件结构，是一些由几十、几百、乃至几十万个具有相同功能和结构的器件元 胞并联集成的功率集成器件。这一代器件的开发和应用，是高压大电流器件技术同徽电子工 艺相结合的自然结果，可称之为功率集成。自80年代中期起，电力电子技术开始朝更高的目 标奋进，以更快的速度进入了以智能电力半导体器件((SmartPower)为代表的功率集成电路 (PIC)时代。PIC由功率开关器件和它的保护电路、控制电路以及相关的传感元器件及其电路、 加上必要的侧试电路和逻辑电路等组成，从而在同一芯片上实现了功率开关同微电子线路和 半导体传感器技术的复杂集成。这种被称之为第三代电力电子器件的高技术产品使动力和信 息合一，是机和电的关键接口。因此，有人认为处在这一水平上的电力电子技术必将对传统 工业产生巨大的冲击，PIC的成功是第二次电子革命到来的标志。 电力电子器件自晶闸管问世以来的各种改进或创新都基本集中在器件结构上，在使用材 料方面没有超出硅的范围，无论是晶闸管还是功率MOS和IGBT,都是硅器件。但是，对半导 体器件材料品质因子的广泛研究表明闻‘，无论对哪种功率器件，也无论从功率器件的哪种特 性和应用需要来考虑，硅材料都不能说非常理想。特别是从电力电子技术对器件工作频率越 来越高的要求来看，硅材料要比大多数宽禁带材料逊色得多5l〔。何况经过人们多年来对硅器