第2章-半导体发光材料及器件-LD.ppt

1、谐振腔对激光频率的约束： nL=(λ/2)K λ=2nL/K (K=1,2,3…..) f=ck/2nL (K=1,2,3) Δf=c/2nL 分布反馈及分布布拉格半导体激光器 分布反馈式LD 分布反馈及分布布拉格半导体激光器 2、法布里-珀罗（F-P）半导体激光器的缺点： 腔长一般为数百个微米，难以实现单纵模输出。满足不了光纤通信的需要（单模光纤） 分布反馈激光二极管 3、DFB-LD的谐振： 沿有源层长度方向的折射率周期性变化（波纹状）的Bragg光栅。 分布布拉格半导体激光器 1.4 半导体激光器 (laser diode) 1.4.3、分布反馈激光二极管 4、分布反馈原理： 分布反馈激光二极管 光沿有源层传播时，一部分在光栅波纹峰反射（折射率不同），另一部分透射。 如果邻近的反射光具有相同的相位，则叠加增强。 分布反馈激光二极管 反射光同相相加条件： 2nL= mλ L：栅距 分布反馈激光二极管 5、分布反馈式激光器的优点： 单纵模输出； 谱线窄； 动态特性好； 线性好。 分布反馈激光二极管 6、其它类型的半导体激光器： 量子阱激光器: QW-LD quantum well laser 量子阱是窄带隙超薄层被夹在两个宽带隙势垒薄层之间。由一个势阱构成的量子阱结构为单量子阱，简称为SQW（Single Quantum Well）；由多个势阱构成的量子阱结构为多量子阱，简称为MQW（Multiple Quantum Well）。 效率高、阈值电流小 分布反馈激光二极管 垂直腔表面发射激光器：VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers）发光面积大，发散角小。 随着激光器功率的不断提高，激光器内部发热量的不断增加，要求提高散热效率、降低单位面积发热功率，在这种情况下就产生面发射激光器。 7、激光二极管阵列： 单个激光二极管管芯尺寸很小，腔长几百微米，厚度几十微米，宽度几十微米。输出功率一般几十mW. 大功率的半导体激光器使用多个二极管排列成阵列，功率可以达到几十、几百W。 分布反馈激光二极管 二极管阵列条 分布反馈激光二极管 LD与LED的比较 半导体发光二极管与半导体激光器在结构上的根本区别在于：LED没有光学谐振腔，它是以自发辐射的方式发光的，发出的光称为荧光。 LD的优点 LD的响应速度快，可以用于较高的调制速率； LD的光谱较窄，应用于光纤通信时，光信号在光纤中的色散较小，因而通信容量较大；而LED谱线范围较大一般只用于短距离光纤通信或者显示、照明行业； LD的发散角较小，与光纤耦合时，入纤功率较大； LD输出光功率和效率较高。 LD的缺点 温度特性差。因为LD的阈值电流依赖于温度，所以其输出功率也依赖于温度。而LED没有阈值电流，故温度特性较好。 易损坏，寿命短。LD的损坏主要有三种原因：内部损坏；接线损坏；光学谐振腔损坏。前两种LED与LD共有，而后一种LD独有； LD结构复杂，价格昂贵； LD的P-I特性曲线线性范围小，调制时动态范围小。 优点： 结构简单； 电流泵浦，功率转换效率高(最大可达50%)，便于调制； 半导体激光器的特点 产生激光的4个条件： 合适的工作物质 例如：氦氖激光器-氖原子 红宝石激光器-CrO3 泵浦 （气体放电-光泵浦） 粒子数反转 （能级、热平衡） 在没有外界影响的条件下，热力学系统的宏观性质不随时间变化的状态。 谐振腔 半导体激光器的一般构成??? LD的通用结构 构成部分： 1.有源区 有源区是实现粒子数反转分布、有光增益的区域。 2.光反馈装置 在光学谐振腔内提供必要的正反馈以促进激光振荡。 3.频率选择元件 用来选择由光反馈装置决定的所有纵模中的一个模式。 4.光波导 用于对所产生的光波在器件内部进行引导。 LD的结构： 简并型半导体、费米 能级与PN结 半导体激光器的工作原理 简并半导体：当杂质浓度超过一定数量后，载流子开始简并化的现象称为重掺杂（施主杂质或是受主杂质的浓度很大），即费米能级进入了价带或导带的半导体。 简并参杂半导体pn结的能带结构图 半导体激光器的工作原理 粒子数反转： 当加在PN结上的正向电压超过某一值（eVEg）后，PN结的某段区域中导带底的电子数大于价带顶电子数，出现粒子数反转。该区域称为增益区(有源区) 。 半导体