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中国科技论文在线 技术专栏 TechnologyColumn 氮化硅湿法蚀刻 中热磷酸的蚀刻率 肖方 2，汪辉 ，罗仕洲2 (1．上海交通大学 微电子学院，上海 200030； 2．中芯国际集成电路制造 (上海)有限公司，上海 201203) 摘要 ：在半导体湿法蚀刻中，热磷酸广泛地用于对氮化硅 的去除工艺，实践 中发现高温下磷 酸对氮化硅蚀刻率很难控制。从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻 中的蚀刻原理 出发，分析 了影响蚀刻率 的各个因素，并通过实验分析 了各个因素对蚀刻率的具体影响。根据 目前广泛应用于生产 中的技 术，介绍 了如何对相关因素进行控制调节，为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供 了方向。 关键词：热磷酸；湿法蚀刻 ；蚀刻率；氮化硅 中图分类号：TN305．7 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003—353X (2007)10—0000—04 HotPhosphoricAcidEtch RatetoSi3N4inW etEtching XIAO Fang ，WANG Hui，LUO Shi—zhou2 (1．SchoolofMicroelectronics，ShanghaiJiaotongUniversity，Shanghai200030，China； 2．SemiconductorManufacturingInternationalCorporation，Shanghai201203，China) Abstract： In wetetchingprocess ofsemiconductormanufacturing， thehotphosphoric acid isused widelyforSisN4removeprocess．ItisverydifficulttocontrolhotphosphoricetchratetoSisN4inpractice． AccordingtothereactionprincipleofhotphosphoricacidetchingSisN4，thefactorsthatwouldaffectetchrate was analyzed， and the effects ofthese factors were also analyzed through experiments．Based on the technologythatappliedinproductionwidelyatpresent，how tocontrolandadjustcorrelatefactorswas introduced， thewaytogetstablehotphosphoricetchratewasgiven． Keywords：hotphosphoricacid；wetetching；；etchrate；Si3N4 的蚀刻率对于 si3N4湿法蚀刻工艺非常重要。图 1 1 引言 中的横坐标单位为 13期 ，即在一段时间内对生产中 由于热磷酸对氮化硅 (sN)蚀刻具有 良好 使用的磷酸蚀刻率进行随机测量得出的结果 (一天 的均匀性和较高的选择 比，在半导体湿法蚀刻中常 测一次 ，得 出的数值统计图，也称统计制程管制 用热磷酸作为 si3N4的蚀刻液…。而高温 的磷酸受 图)。 各种因素的影响很不稳定 ，