负偏压增强离子表面扩散机制.pdfVIP

重度大学学报 (自然科学版) Vo【23 第23卷第4期 Journal。f Chongqing University(Natura[Scieace Edition) JU【2000 文章编号：1000—582x(2000)04—0049—04 一 负偏压增强离子表面扩散机制 三J竺查，三互盘～廖克俊，肖金龙 (重度大学 理学院．重庆 400044) 摘 要：时利用热灯丝CVD沉积金别石膜时负村底偏压增强金刚石的核化过程进行了分析。结 夸等离子体和碰撞等有关理论，从理论上初步地研完了负衬底偏压对增强活性离子沿衬底表面扩散的 影响，给出了扩散系数，扩散距离与负衬底偏压之问的关系。结果表明扩散系数和扩散距离都随着负村 底偏压的增大而增大 关键词：负村底偏压；活性离子 世 -1r(52 TB ’ ‘ 。 ‘— ‘ ’ _ — ‘ - - 。 ‘ _ ‘ ‘ — 一 ● - 一 中图分类号：0 484．1 文献标识码：A 利用各种化学气相沉积金刚石膜的研究已经取得 刚石膜负衬底偏压增强金刖石的核化过程进行了分 了较大的进展。化学气相沉积金剐石膜关键的一步是 析，从理论上初步地研究了负衬底偏压对活性离子在 金刚石的核化，它关系着制备金刚石膜的质量及其应 衬底表面上运动的影响，研究结果表明负衬底偏压作 用。由于si是一种廉价又广泛用于电子器件的材料， 用下活性离子在衬底表面上的扩散确实得到增强。 用 作为村底材料进行沉积金剐石膜研究的比较多 1 实验过程分析 然而，由于金刚石的表面能为6～9 J／m2，而 为1．5 』．／m!，金剐石晶格常数为0 356 7 nnl，Si为0 543 1 利用HFCVD沉积金刚石膜的系统如图所示。灯 nm，金剐石与 之间的晶格失配率达52％ ，因此 丝是直径为1 nlm的钨丝，其温度加热到2 000℃左 在镜面抛光的 衬底上金刚石的成核密度极低，仅为 右，村底为s (100)，温度为850℃左右。衬底与灯丝 10 ／cm 。Yugo等人 在利用微波等离子体CVD 之间的距离为8[tlr~l左右。相对于灯丝的负偏压通过 (MPCVD)沉积金剐石膜的核化过程中引人了负衬底 偏压．在镜面抛光的si衬底表面上成核密度大大提 高，该方法为沉积金刖石膜 的研究开辟了新的途 径 。有关利用MPCVD沉积金刚石膜时负衬底偏 压增强金刚石核化的机制人们根据各自的实验提出了 不同的看法 ，其中有一种共同看法是负衬底偏压 增强了活性离子在村底表面上的运动。Wang等 人 在利用热灯丝CVD(HFCVD)沉积金刚石膜时 给衬底引人了负偏压，在镜面抛光的si村底表面上金 刚石的成核密度达10 ／cm ，他们认为负衬底偏压作 真 用下增强了活性离子对衬底表面的轰击，从而加速了 活性离子沿村底表面的扩散。他们虽然在实验上分析 了负衬底偏压作用下活性离子在衬底表面的运动，但 并未从理论上进行研究。笔者对利用HFCVD沉积金 图 l HFcVD系统 收稿13期：l999．12—21 基金项目：国家自然科学基金资助项目 作者简介：王必本(1963一)，男，河南新乡^．重庆太学博士生。主要从事金刚石的研究 重庆大学学报 (自然科学版) 2000点 村底支架Mo加到村底上。反应气体为高纯度的cH4 竽)exp(鲁) 和H2，CH4在H2中的浓度为1％～3