类比cmos积体电路设计【PPT课件】.pptVIP

類比CMOS積體電路設計 第四章 差動放大器 單端信號和差動信號 共模排斥 共模排斥 差動運作 簡單差動電路 基本差動對 差動對之輸入－輸出特性 電路的共模特性 差動對的輸入－輸出振幅限制 例題 4.1 差動對的定量分析 差動對的定量分析 差動對的定量分析 差動對的定量分析 汲極電流和總轉導對輸入電壓之變化 例題 4.2 差動對小信號特性分析 差動對小信號分析方法一:重疊原理 差動對小信號分析方法一:重疊原理 差動對小信號分析方法一:重疊原理 例題 4.3 對稱電路的輔助定理 對稱電路的輔助定理證明 對稱電路的戴維尼等效觀點 差動對小信號分析方法二:半電路 例題 4.4 任意輸入信號的差動和共模成份 差動和共模信號的疊加 例題 4.5 例題 4.5〈續〉 共模響應 例題 4.6 例題 4.6〈續〉 共模-差動轉換特性 不匹配造成之共模雜訊效應 電晶體不匹配所造成的非對稱性 電晶體不匹配所造成的非對稱性 例題 4.7 共模排斥比 負載MOS之差動對 加入電流源以增加電壓增益 利用疊接以增加電壓增益 可變增益放大器 Gilbert單元 例題 4.8 Gilbert單元 計算圖4.20(a)之電路中,如果 Vin1≠Vin2 且 λ≠0 時,計算其 VX 和 VY。 答: 對於差動模態運作時,從圖4.24(a)中可得 那就是說 對共模運作來說,電路將變成如圖4.24(b)所示,而當 Vin,CM 改變時,VX 和 VY 將變化多少?如果電路為全對稱且 ISS 為理想電流源時,被 M1 和 M2 由 RD1 和 RD2 引入之電流等於 ISS/2 且和 Vin,CM 無關。因此,當 Vin,CM 改變時,VX 和 VY 將不會改變。有趣的是,電路僅放大了 Vin1 和 Vin2 之間的差,而消除了 Vin,CM 的效應。 (a)感測共模輸入之差動對;(b)(a)之簡化模式;(c)(b)之等效電路。 圖4.26之電路使用一電阻而不用電流源來定義一 1mA 之尾電流,假設 (W/L)1,2= 25/0.5,μnCox= 50μA/V2,VTH= 0.6V,λ=γ= 0,VDD= 3V。 (a)RSS 維持於 0.5V 之輸入共模信號為何? (b)計算差動增益為 5 時的 RD 值。 (c)如果輸入共模位準比(a)中所求得的值高 50mV 時,輸出端將會如何? 答: (a)因為 ID1=ID2= 0.5mA,我們得到 因此 Vin,CM=VGS1+0.5V= 1.73V,泣意 RSS= 500Ω。 (b)每個元件的轉導為 且 RD= 3.16kΩ 時可增益值為 5。 因為 Vin,CM= 1.73V 且 VTH= 0.6V,電晶體將偏離三極管區 290mV。 (c)如果 Vin,CM 增加 50mV,由等效電路可推論 VX 和 VY 將會減少 現在,M1 和 M2 偏離三極管區 143mV,因為輸入共模位準增加 50mV 而輸出共模位準減少了 96.8mV。 RD1=RD 且 RD2=RD+DRD。 當 Vin,CM 增加時,ID1 和 ID2 增加 [gm/(1+2gmRSS)]Vin,CM, 由於電阻不匹配所產生之共模雜訊效應。 兩個差動對如圖疊加起來,電晶體 M3 和 M4 遭遇到 gm 之不匹配為 Dgm,在節點 P 之總寄生電容為 CP,否則電路則為對稱。有多少供應雜訊將會在輸出端以差動成份出現？假設λ=γ= 0。 答: 忽略節點 A 與 B 之電容,我們注意到供應雜訊在這兩個節點出現且並無衰減,以 1/(CPs) 取代 RSS 並考慮其大小,得到 關鍵在於當供應雜訊頻率ω增加時,此效應也變得更為重要。 只考慮 gm 不匹配時 其中 Vin1= － Vin2,gm=(gm1+gm2)/2 (a)負載二極體之差動對 (b)負載電流源之差動對 差動增益大約為沒有負載PMOS電流源的五倍。 (a)簡單可變增益放大器;(b)提供可變增益的二種組態。 解釋為何Gilbert單元可以操作為一類比電壓相乘器。 解: 因為電路增益為 Vcont= Vcont1－Vcont2 的函數,我們得到 Vout=Vin．f(Vcont)。將 f(Vcont) 以泰勒展開式展開且只留下其一次項,αVcont,我們得到 Vout=αVinVcont。因此,電路可以放大電壓,此特性將伴隨著任意的電壓控制可變增益放大器。 (a)Gilbert單元利用下端之差動對感測輸入電壓;(b)對非常大之正 Vout 的信號路徑;(c)對非常大之負 Vout 的信號路徑。 商业 shāngyè 　　[commerce;trade;business] 以货币为媒介进行交换从而实现商品的流通的经济活