半导体压敏电阻器PPT.ppt

半导体压敏电阻器;前言;品种很多;按物理机构分： 体形 结型 按伏安特性分： 对称型 非对称型 ;应用;定义; 式中：I为伏安特性曲线某点电流（A） V为伏安特性曲线某点电压（V）;变化积分 V为施加在压敏电阻器上的电压 I为流经压敏电阻器的电流 C、K均为常数，并且 ;电流指数β 电压指数α 通称非线性系数，是描述压敏电阻器伏安特性非线性强弱的重要参数，β小于1，而α大于1。 α或β的大小就可以说明压敏电阻伏安特性偏离欧姆定律的程度，若β越小，α越大，表示非线性越大，伏安特性曲线上升越显著。;在一个很窄的电压、电流范围内: ;在生产和应用压敏电阻时，通常是分别确定两电流值I1和I2,并令I2=10I1,分别测得I1和I2相对应的电压值V1和V2，然后按下式求出a 值。 ;1.1.2 C值;n个电阻器串联;为提高使用电压，可用伏安特性相同或接近的压敏电阻器串联使用，而从制造工艺上，可以调整产品厚度的方法得到不同的压敏电压值。;n个电阻器并联;说明利用压敏电阻器的并联来降低C值的效果不大，但可以提高压敏电阻的通流能力，使其在通过较大的电流时不致失效。;1.1.3电阻特性;可见，压敏电阻器当施加电压变化5倍，阻值则变化了千万倍，说明压敏电阻器对电压是相当敏感的。但阻值的减小不是无限的，在 高压端：流过元件的电流超出规定范围，则伏安特性偏离原来的非线性，而接近线性 低压端：由于漏电流的存在，使压敏电阻的伏安特性同样出现非线性偏离 ;1.1.4 功率特性;1.1.5 温度特性;上节课;C=V1A 电阻串联C’＝nC,说明n个特性相同的电阻串联后，C增加n倍, 而并联后;参数：1.压敏电压;2 漏电流;第一式可作为工作电压选压敏电阻器的参考 第二式是已知压敏电压时，可作为选取工作电压的参考;3 通流容量;4 固有电容;二、压敏电阻器的主要类型;2.1.1 结构和工作原理;制得原料后，然后按一定的比例加入粘土，长石等粘合剂，对于低压电阻还要加入少量的石墨粉，随之按陶瓷工艺制成基体，再在1000～1300℃的温度下进行烧结，最后在表面烧制电极，装配成变阻器，如图2所示; 图2 SiC压敏电阻器结构示意图;对于小功率的SiC压敏电阻器可做面圆片状，棒状和垫圈状，而大功率的SiC压敏电阻器可做成圆盘串并组合而成，为了提高额定功率，还可以装散热器等。 ;研究证明，在合成SiC时加入少量的铝和硼，可以提高非线性系数a值 因为在冶炼SiC晶体时，气氛中的氮取代SiC晶体的C而形成施主能级使SiC晶体呈n型特性.;加入少量的Al或B等受主杂质，并随着其含量的增加， SiC晶体由n型向P型转化，在转变点上，电阻率最大，制成的压敏电阻器的非线性系数也最大.;实验结果表明，在SiC晶体中， Al的含量在0.01~0.05wt%或B的含量在0.003~0.06wt%范围内，通过适当的调整，均可使a值达到8左右 ;2.1.2 主要特性参数;2.1.2 主要特性参数;2.2 硅压敏电阻器;PN结（PN junction）。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。;一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。 ;P型半导体（P指positive，带正电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴； N型半导体（N指negative，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。 ;在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质（离子） 。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。;因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。 ;在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。如果N型一边接