数电课件2011级新2门电路.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2.7.1 低电压接口 2. 不同电压的CMOS接口 3.3VCMOS驱动5V CMOS VOH=3.3V 3.3VCOMS 5VCOMS 栅极电压低，CMOS结构不可靠！ 2.7.1 低电压接口 2. 不同电压的CMOS接口 电源电压越低，逻辑电平失配问题更明显； 低电压器件允许高电压输入时，可以用高电压器件驱动低电压器件；而不能用低电压器件驱动高电压器件。 为了解决低电压器件互连问题，一般都使用电平移位器或电平转换器将较低的逻辑电平抬高到较高的电平上再实现互连。 2.7.1 低电压接口 3. 不同电源的三态门输出接口 大电流 形成导电沟道 5V 2.7.1 低电压接口 3. 不同电源的三态门输出接口 5V T1截止，消除大电流通路 2.7.1 低电压接口 4. 5VTTL和3.3VTTL的接口 5VTTL和3.3VTTL的逻辑电平定义标准相同，没有电压失配问题，容易互连。 安全性问题：在5VTTL驱动3.3VTTL时，3.3V器件必须是允许5V输入电压的；同样，如果3.3VTTL允许5V电压输出，就可以用TTL和LVTTL驱动同一个总线。 2.7.2 CMOS与TTL接口 1. TTL驱动CMOS 阈值电压不同，直接互连，有电压失配问题。 选择与TTL兼容的CMOS器件，如HCT、VHCT或FCT等 TTL驱动普通CMOS器件： 2.7.2 CMOS与TTL接口 2. CMOS驱动TTL 符号 参数描述 单位 HC HCT AHC AHCT VOLmaxT 最大输出低电平 V 0.33 0.33 0.44 0.44 VOHminT 最小输出高电平 V 3.84 3.84 3.8 3.8 IOLmaxT 低电平输出电流 mA 4 4 8 8 IOHmaxT 高电平输出电流 mA -4 -4 -8 -8 TTL负载的CMOS典型参数 2.7.2 CMOS与TTL接口 2. CMOS驱动TTL TTL器件输入电流大，令CMOS输出高电平下降，低电平升高 负载过重时，可使用电流放大器 （a）电流放大器作接口 （b）并联CMOS增大驱动电流 增大驱动能力的CMOS接口电路 2.7.2 CMOS与TTL接口 3. 光电耦合电路 ——电气隔离 （a）TTL驱动CMOS （b）CMOS驱动TTL 光电耦合接口电路 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2.5 其他高速逻辑电路 发射极耦合逻辑电路ECL ——Emitter Coupled Logic Bi-CMOS电路 Bi——代表双极型 + CMOS 2.5.1 发射极耦合逻辑电路ECL 特点：电压摆幅小 速度快 功耗大 ECL反相器/缓冲器 两晶体管对称 射极耦合 UIH=4.4V UIL=3.6V A输入高电平时： A输入低电平时： 互补输出 2.5.1 发射极耦合逻辑电路ECL 解决输入与输出间的逻辑电平平移 逻辑对比： 输入低电平：3.6V 输出低电平：4.2V 输入高电平：4.4V 输出低电平：5V 电平平移了0.6V 2.5.1 发射极耦合逻辑电路ECL 解决输入与输出间的逻辑电平平移 和输入端有相同逻辑标准 2.5.1 发射极耦合逻辑电路ECL 差动方式————抗干扰能力强 + - + 2.5.1 发射极耦合逻辑电路ECL ECL或非门/或门 ECL 并联结构 2.5.2 Bi-CMOS电路 Bi-CMOS反相器基本结构 CMOS结构 TTL推拉式 2.5.2 Bi-CMOS电路 Bi-CMOS反相器基本结构 2.5.2 Bi-CMOS电路 Bi-CMOS反相器基本结构 Bi-CMOS反相器常用结构 有源下拉的作用： 降低功耗 提高速度 2.5.3 典型电路比较 　 　 TTL系列 CMOS系列 ECL Bi-CMOS 性能 单位 74LS 74ALS 74F 74HC 74AC 74AHC ECL ABT 传播延时 ns 9 4 3 7 5 3.7 0.22~1 3 单位