无机材料科学基础第三章晶体结构缺陷PPT.ppt

第三章 晶体结构缺陷;总 述;完整不一定精彩 缺憾也是一种美!;总述—— 1、缺陷产生的原因——热震动 杂质 2、 缺陷定义——实际晶体与理想晶体相比有一定程度的偏离或不完美性， 把两种结构发生偏离的区域叫缺陷。 3、研究缺陷的意义——导电、半导体、发色（色心）、发光、扩散、烧结、固相反应………。（材料科学的基础） 4、 缺陷分类——点缺陷、线缺陷、面缺陷 ;主要内容;一、按缺陷的几何形态分类 ; 1. 点缺陷（零维缺陷） ? 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。包括： 空位（vacancy） 间隙质点（interstitial particle），亦称为填隙质点 杂质质点（foreign particle）→ 固溶体 ? 点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。;晶体中的点缺陷 　　;2. 线缺陷（一维缺陷）;　(a) 刃位错（edge dislocation）；　 (b) 螺位错（screw dislocation）;3. 面缺陷（二维缺陷）;面缺陷－晶界（grain boundary）（a）倾斜晶界（tilt boundary ）；（b）扭转晶界（twist boundary ）;面缺陷－堆积层错面心立方晶体中的抽出型层错(a)和插入型层错(b);4. 体缺陷（三维缺陷）;二、按缺陷产生的原因分类;1. 热缺陷 ;2. 杂质缺陷 （固溶体）;3. 非化学计量缺陷 （非化学计量化合物）; 指质点排列的周期性未破坏，但因电子或空穴的产生，使周期性势场发生畸变而产生的缺陷。 由能带理论，非金属固体具有价带、禁带或导带。温度接近0K时，其价带中电子全部排满，导带中全空。若价带中电子获得足够能量跃过禁带进入导带，则导带中的电子、价带中的空穴使晶体势场畸变而产生电荷缺陷。;5. 辐照缺陷; 离子晶体的辐照缺陷类型： 电子缺陷——使晶内杂质离子变价（如激光束照射铁掺杂LiNO3单晶使晶体中的Fc2＋变至Fe3＋），使中心点缺陷变为各种色心； 空位、间隙原子及由此组成的各种点缺陷群； 位错环和空洞。 ;3.2 点缺陷 一、类型 A 根据对理想晶体偏离的几何位置来分，有三类;B 根据产生缺陷的原因分; （1）热缺陷类型 1）弗仑克尔缺陷（Frenkel defect） 1926年由Frenkel发现并提出。 形成机制：正常晶格质点跃入间隙位，在原晶格结点则出现空位。见图。 特点：空位和间隙质点成对出现； 晶体体积不发生改变。 ;; 2）肖特基缺陷（Schottky defect） 1934年由Schotteky发现并提出。 形成机制：质点跃迁至表面形成新的结点，而在晶体内部留下空位。见图。 特点：晶体中只有空位； 正离子空位与负离子空位成对出现； 晶体体积增大，晶格常数变化。 ;; （2）热缺陷浓度与温度的关系 对于某种特定材料： 温度一定，热缺陷浓度一定； 随温度升高，热缺陷浓度呈指数增加。;（3）点缺陷形成与晶体结构的关系 晶体结构中空隙较小，且正、负离子半径相差较小 → 肖氏缺陷 如，NaCl型：NaCl、MgO、CaO等。 晶体结构中空隙较大，且正、负离子半径相差较大 → 弗氏缺陷 如，金属晶体中：简单立方、体心立方； 离子晶体中：CaF2型结构。;Schttky缺陷的形成能量小，Frankel 缺陷的形成能量大，因此对于大多数晶体来说，Schttky 缺陷是主要的。;（4） 点缺陷对结构和性能的影响;（5）热缺陷与晶体的离子导电性 ; 综上所述，晶体的离子电导率取决于晶体中热缺陷的多少以及缺陷在电场作用下的漂移速度的高低或扩散系数的大小。通过控制缺陷的多少可以改变材料的导电性能。;2 杂质缺陷 概念——杂质原子进入晶体而产生的缺陷。原子进入晶体的数量一般小于0.1%。 种类——间隙杂质 置换杂质 特点——杂质缺陷的浓度与温度无关， 只决定于溶解度。 存在的原因——