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半绝缘GaAs光电导开关产生太赫兹波电场屏蔽-中国科技论文在线
第 卷第 期 年 月 物 理 学 报
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半绝缘!#$ 光电导开关产生太赫兹波电场屏蔽
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贾婉丽 纪卫莉 施 卫
!）（西安理工大学理学院，西安 $!%%’ ）
）（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海 %%%(% ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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利用 模拟方法，对不同实验条件下半绝缘 （ ）光电导开关作为偶极辐射天线在
+,-./01.234,5. 67814 97:- ;297:-
辐射太赫兹电磁波（太赫兹波）中体内电场的分布以及空间电荷屏蔽效应对太赫兹波辐射的影响进行了模拟 载流
=
子的时域空间电场分布表明：用高能量激光脉冲触发低压偏置的97:- 开关，空间电荷屏蔽是限制太赫兹波辐射功
率的一个重要因素，并且空间电荷屏蔽能够引起太赫兹波呈现双极性= 当高能量飞秒激光脉冲以全电极间隙触发
大孔径光电导天线时，空间电荷电场屏蔽效应对太赫兹波的影响不大=
关键词：光电导开关， 模拟，辐射场屏蔽，空间电荷屏蔽
+,-./01.234,5. 67814
： ， ，
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计算是基于电流的连续性方程来考虑载流子随时间
!J 引 言 变化，不考虑载流子在电场作用下输运过程中出现
的各种散射，这种方法计算飞秒量级的光生载流子
［］
! 输运特性存在着一定的局限性
近年来，利用超快光电子技术 产生太赫兹电 =
［— ］
磁波（太赫兹波）已被众人所瞩目 ，根本原因在
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