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* * 1. 图1电路中,稳压管的稳定电压为8V,稳压管电流小于2mA时不能稳压。 为了使稳压管能起稳压作用,则负载电阻RL应大于【 】 A. 4KΩ B. 1KΩ C. 800Ω D. 667Ω 一、选择题: C 2. 当温度升高时,双极型晶体管的输出特性曲线将【 】 A. 整簇输出特性曲线上移,曲线间距增大 B. 整簇输出特性曲线上移,曲线间距减小 C. 整簇输出特性曲线下移,曲线间距增大 D. 整簇输出特性曲线下移,曲线间距减小 A 3. 某场效应管的转移特性如图2所示,该管是 A. N沟道增强型MOS管 【 】 B. N沟道耗尽型MOS管 C. P沟道增强型MOS管 D. P沟道结型场效应管 图 2 B 4. 在图3所示的电路中,如空载时(即RL开路)调节Rb,使VCE = VCC/2,若ICEO,VCES均忽略不计。问接上负载RL后,逐渐加大输入信号VS,输出电压VO首先出现什么失真?【 】 (A)截止失真 (B)饱和失真 (C)同时出现上述两种失真 (D)交越失真 A 5. 图3电路在正常工作时,若负载不慎发生短路(即RL=0),则通过晶体管的集电极电流iC将【 】 (A)增大 (B)过流而烧毁管子 (C)不变 (D)减小 C 6. 在图3所示电路中,Ri为其输入电阻,Rs为常数,为使下限频率fL降低,应 【 】 A. 减小C,减小Ri B. 减小C,增大Ri C. 增大C,减小Ri D. 增大C,增大Ri D 7. 图4为一场效应管电路和它的输出特性。已知VDS = 6 V。从图中可知: (1)静态电流ID应为 【 】 A 0.5mA;B 1mA; C 2mA;D 1.5mA。 (2)FET的互导gm应为 【 】 A 2mA/V;B 0.5mA/V;C 1mA/V;D 1.5mA/V。 D B 8. 为了使高输出电阻的放大电路与低电阻负载很好地配合,可以在放大电路与负载之间接入【 】 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共射-共集串接电路 B 二、两级放大电路的参数如图5(A)所示,设晶体管T1、T2的?1=?2=50,VBE1=VBE2=0.7V,晶体管T1的rbe1=1KΩ, 晶体管T2的rbb’=114Ω,试求: 1. 第二级电路的静态工作点(IB2Q,IC2Q,VCE2Q); 2. 画出整个放大电路简化的微变等效电路(注意标出电压、电流的参考方向); 3. 放大电路的电压放大倍数和以及总的电压放大倍数; 4. 该放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro ; 5. 放大电路的最大不失真输出电压; 6.设vi=10sin?t(mV),在图(B)上画出vO1,vO2的波形,并注明直流分量和交流分量的幅值大小; 7. 设两级放大器的频率特性分别为: 画出整个放大电路总的对数幅频和相频特性。 解 1. 第二级电路的静态工作点(IB2Q,IC2Q,VCE2Q); 精确计算 近似计算 2. 画出整个放大电路简化的微变等效电路(注意标出电压、电流的参考方向); 3. 放大电路的电压放大倍数和以及总的电压放大倍数; 4. 该放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro ; 5. 放大电路的最大不失真输出电压; 考虑截止 考虑饱和 6. 设vi=10sin?t(mV),在图(B)上画出vO1,vO2的波形,并注明直流分量和 交流分量的幅值大小; 6.5 V 9.8 mV 8.7 V 1.11 V 7. 设两级放大器的频率特性分别为: 画出整个放大电路总的对数幅频和相频特性。 -20dB/十 -40dB/十 - 45 0 / 十 - 45 0 / 十 - 90 0 / 十
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