微电子器件课件微电子器件27章节.pptVIP

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* * 2.7 PN 结的开关特性 PN 结具有单向导电性,可当作开关使用。 理想开关的特性 直流特性:“开” 态时电压为 0,“关” 态时电流为 0 。 瞬态特性:打开的瞬间应立即出现稳态电流,关断的瞬间电流应立即消失。 本节将讨论实际 PN 结的开关特性。 正向时, 理想情况, 实际情况, 可见,rs 越小,E1 越大,则越接近于理想情况。 2.7.1 PN 结的直流开关特性  反向时, 理想情况, 实际情况, 可见,gl 越小,则越接近于理想情况。另外,为增大 If 与 Ir 之间的差别,应采用较大的 E1 。 2.7.2 PN 结的瞬态开关特性 ts 称为存储时间,tf 称为下降时间,tr = ts + tf 称为反向恢复时间。tr 持续的过程称为 反向恢复过程。 当 E = - E2 的持续时间小于 tr 时,则 PN 结在反向时也处于导通状态,起不到开关的作用。 t t E E1 -E2 I ts tf I0 0 2.7.3 反向恢复过程 P 区 N 区 P 区 N 区 引起反向恢复过程的原因,是 PN 结在正向导通期间存储在中性区中的非平衡少子电荷 Q 。 N 区 以 P+N 结为例,正向稳态时, 式(2-163)将作为求解电荷方程的 初始条件。式(2-164)就是空穴连续性方程的积分形式在稳态时的简化形式。 由此可得正向稳态时 Q 与 If 之间有如下关系 (2-163) (2-164) 或 当电压由 E1 突然变为 (-E2 ) 时,正是这个存储在 N 区中的非平衡少子电荷 Q 为反向电流提供了电荷来源。 在 tr 期间,设 PN 结上的电压为 V(t) ,则 , N 区中非平衡少子的变化情形如下图所示。 曲线 1 表示在 E 由 E1 变为 (-E2 ) 的一瞬间,此时, 曲线 1 ~ 4 为存储过程,即 ts 期间, 这期间 Ir 变化不大。 E1 -E2 I 0 ts 曲线 4 ~ 6 为下降过程,即 tf 期间, -E2 I 0 tf I0

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