第3章-半导体三极管及其放大电路1PPT.ppt

3　半导体三极管及其放 大 电 路;本章学习要点;　从共发射极电路入手，推及其他两种电路。 　分析放大电路的基本方法： 　　a.　图解法 　　b.　小信号模型法(微变等效电路分析法);分析的步骤： 　　a.首先是电路的静态工作点(Q点)， 　　b.然后分析其动态技术指标。 　对于电压放大电路来说，主要的技术指标有：电压增益、输入阻抗、输出阻抗和频响带宽，这在第一章已作过简要的介绍。;单极型器件[场效应管(FET)]及其放大电路将在第4章讨论。 由于集成电路制造工艺的迅速发展，从使用的角度来考虑，电子设计主要是选用集成电路构件来作系统设计，但是分立元件电路是基础，这里仍然予以足够的重视。;　2.　BJT 的结构;(2)　BJT的制造工艺特点： 　　a.　e区掺杂浓度最高，以有效的发射载流子； 　　b.　b区掺杂浓度最低且最薄，以有效的传输载流子； 　　c.　c???掺杂浓度适中，面积最大，以有效的收集载流子。;　(3)　NPN型BJT的结构;Date;Date;3.1.2　BJT的电流分配关系与放大作用;BJT内部载流子的传输过程分三步(如图3.1.4所示)： 　　　(1)　发射区向基区注入载流子 　　　(2)　载流子在基区的扩散与复合 　　　(3)　集电区收集载流子 有上分析可知，BJT内部有两种载流子参与导电，故称之为双极型晶体管。;Date;　2.　三极管的电流分配关系;纯交流时： 　　　　　　i e＝i c+ i b 　　　　　　i c＝βi b 交直流共存时： 　　　　　　i E＝iC + iB 　　　　　　( ie+ IE )＝( ic+ IC )+( ib+ IB) 　　　　　( ic+ IC )＝(βib+ IB)+(1+β )ICBO; 　3.　放大作用;Date; 　综上所述：;(2)　当晶体管制成之后，晶体管各极之间的电流关系是确定的： 　　　　　 IE＝IC+IB 　　　　　 IC＝β I B+I CEO≈ IB 　 或　　　 　　　　　 i E＝iC + iB;　4.　共发射极连接方式;Date;　(2)　共发射极放大电路;Date;共射极电路与共基极电路的异同： 相同之处：放大信号的物理本质是相同的。 (1)　共射极电路的输入电流是 iB，共基极电路的输入电流是iE，iB作为输入控制电流时信号源消耗功率小。 (2)　对于共射极电路，研究放大过程主要是分析集电极电流(输出电流)与基极电流(输入电流)之间的关系。;(3)　因为β1，α1，所以iCiB，故共发射极放大电路不但能放大电压，而且还能放大电流。 共发射极放大电路是目前应用最广泛的一种组态。;　3.1.3　BJT的特性曲线;　1.　共发射极放大电路的特性曲线;Date;　特点：;　原因：;c.　晶体管BE间的门限电压： 　　硅管：0.5V左右，　锗管：0.1V左右。 d.　晶体管BE间的工作电压： 　　硅管：0.7V左右，　锗管：0.2V左右。;(2)　输出特性曲线 输出特性曲线是描述当 iB为某常数时，vCE与iC之间的关系曲线。其函数关系可表示为：　　　　; 　特点：;b.　当vCE 0.5V后，iC 基本不受vCE的控制作用，iC基本不变。 原因：此时，vCE 已足够大，J内的总场强可把e区注入到b区的大部分非平衡载流子全部拉到c区，形成iC；另外，因为iB一定，b区的非平衡载流子数目一定，所以，随着vCE 的增大，iC基本恒定不变。;　2.　共基极放大电路的特性曲线(略);c. 直流共基电流放大系数： α ＝IC／IE d. 交流共基电流放大系数：α＝ΔiC／Δi E e. 共基与共发电流放大系数的关系： 　　β＝α／(1－α)， β ＝ α ／(1－ α) 　　α＝β／(1＋β)， α ＝ β ／(1＋ β);2.　极间反向电流 (1)　集电极－基极反向饱和电流 ICBO ICBO：表示发射极开路时，c、b之间加上一定反向电压时的反向电流。如图3.1.9所示，为其测量电路。 ICBO一般很小，常温下，小功率硅管约为1μA，锗管约为10μA，ICBO随温度的升高而增大，在温度变化范围大的工作环境中，应选用硅管。;;(2)　集电极－发射极反向饱和电流 ICEO（ 又称之为穿透电流） ICEO：表示基极开路时，c、e之间加上一定反向电压时的集电极电流。如图3.1.10所示，为其测量电路。 　　　ICEO＝ICBO＋βICBO＝(1＋β)ICBO;;通常把ICEO作为判断管子质量的重要依据，常温下，小功率硅管约为μA级，锗管约为mA级，和ICBO一样，ICEO也随温度的升高而增大，在温度变化范围大的工作环境中，应选用硅管。;3.　极限参数 (1)　集电极最大允许电流 ICM ICM 是指BJT 的参数变化不超过允许值时集电极允许的