液晶材料与技术（十二）——LCD工艺技术讨论—阵列2.pptVIP

干刻的方式有 等离子刻蚀 (plasma etching， PE)， 反应性离子刻蚀(reactive ion etching， RIE) 传导耦合等离子刻蚀(inductive couple plasma etching， ICP）等 液晶材料与技术 TFT-LCD设计及制作 等离子刻蚀是利用高能量惰性气体离子轰击被刻蚀物体的表面，达到溅射刻蚀的作用。 因为采用这种方法，所以可以得到非常小的特征尺寸和垂直的侧壁形貌。这是一种“通用”的刻蚀方式，可以在任何材料上形成图形。它的弱点刻蚀速度较低，选择性较差。 传导耦合性等离子体刻蚀的优势在于刻蚀速率高、良好的物理形貌和通过 对反应气体的选择，达到针对光刻股和衬底的高选择比。一般用于对特征形貌没有要求的去胶(ashing，灰化)工艺。 反应离子刻蚀是上述两种刻蚀方法相结合的产物，它是利用有化学反应性气体产生具有化学活性的基团和离子。经过电场加速的高能离子轰击被刻蚀材料，使表面受损，提高被刻蚀材料表面活性，加速与活性刻蚀反应基团的反应速度，从而获得较高的刻蚀速度。 这种化学和物理反应的相互促进，使得反应离子刻蚀具有上述两种干法刻蚀所没有的优越性:良好的形貌控制能力(各向异性)、 较高的选择比、可以接受的刻蚀速率。 因此在干法刻蚀工艺中反应性离子刻蚀得到广泛应用。 液晶材料与技术 基本步骤： （1）将待刻蚀材料置于真空腔的电极板正中央，