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氮化镓及其异质结特性 氮化镓的基本物理特性 金属和GaN及AlGaN/GaN的肖特基接触 GaN材料 GaN的生长：早期的GaN研究进展很慢，主要由以下因素： 一是在生长的GaN中存在很大的n型背景电子浓度。 二是很难得到p型材料，另外没有合适的与氮化物在热性能和晶格常数相匹配的衬底材料，难以得到高质量的GaN薄膜。 同时由于GaN的惰性和抗化学刻蚀的性能也直接妨碍了器件制备技术的发展。 1、随着铝组分的增加啊AlGaN的禁带宽度也逐渐增加。2、光子的能量越大， AlGaN的吸收系越大。3、一个质量完美的直接禁带半导体来说，光子能量达到禁带宽度时吸收系数变化非常陡，所以选取吸收系数变化最大的地方为禁带宽度。 随着光子能量的增加，折射率会逐渐增加，当光子能量等于禁带宽度时，折射率会经历一个极大值。 总结了金属和半导体肖特基接触给出的势垒高度得到一些半导体材料互相相对的能带带阶值。 三角型代表n型半导体，方型代表p型半导体能量的零点位置是指金属的费米能级。 9.2 金属和GaN及AlGaN／GaN的肖特基接触 肖特基势垒的电流—电压关系式可描述为 肖特基二极管的势垒高度还可以从电容—电压关系是求得 金属/GaN肖特基势垒中电子的输运机制 非简并情况下当正向电压V3kT/q时的电流密度 当E00 《kT时跨越势垒的 热电子发射机制是电流传输的主要机制 9.2.3 金属和AlGaN/GaN结构的肖特基结 当正向电压小于两个二极管势垒高度的差时，大部分的外加电压降在金属／AlGaN接触上．在大的正向偏压下异质结界面上的二极管变为起主导作用，流过整个结构的电流可以分成两部分来分析．流过金属／AlGaN肖特基二极管的电流可以写成 AlGaN/GaN异质结二极管的势垒高度较小，一旦加在这个二极管上的电压足够大，电流就会变很大，而串联电阻变成主导因素。 谢谢！ * Si材料： 大家对硅材料都已相当熟悉，由硅材料制造的各种电器产品在我们的日常生活中几乎无处不在。 硅材料本身存在着一些缺点： 带隙窄，只能在较低的温度下使用。 硅是一个间接带隙的半导体，即电子从导带跃迁到价带时不发射光子，能量的改变而是以热的形式释放到晶格中，因而在光电应用中受到了很大的限制。 GaAs材料： 被认为是继硅、锗之后的第二代半导体材料，是目前应用最广的 Ⅲ—Ⅴ族化合物。 有很高的电子迁移率，适于制造高频、高速电子器件。 是一个直接带隙的半导体材料，光电转换效率、发光效率较高，适合于制造光电器件。 带隙相对比较低，300K时仅为1.4eV，不适合制造用于高温以及波长较短的光电器件。 不同于Si和GaAs，以GaN为代表的基于Ⅲ—V元素的氮化物及其合金，在很多方面克服了Si和GaAs的一些缺点，被认为是新一代半导体材料， 有纤锌矿和闪锌矿两种晶体结构 ，一般情况下为纤锌矿结构。 氮化镓是直接禁带半导体可以作为光电器件。 氮化镓是宽禁带半导体材料，室温下约3.36ev，适合做高温，高功率器件。 9.1节 氮化镓的基本物理特性 直到60年代GaAs材料制成了激光器，同为Ⅲ—Ⅴ族化合物的GaN又引起了人们的兴趣。20世纪90年代以来，由于缓冲层技术的采用和P型掺杂技术的突破，对GaN的研究热潮在全世界蓬勃发展起来，并且取得了辉煌的成绩 。 AlGaN材料:是由氮化镓和氮化铝结合而成的固溶体。带隙在很宽的范围内调节，其直接带隙的范围可以连续跨过可见光的大部分区域直到紫外光区 。 q VD qфns EC EF EV En E0 χ VD EC EV EF χ 空穴 E0 角形所在处的能量相当于Au和n型半导体之间的势垒高度，而方形所在处的能量相当于Au和p型半导体之间的势垒高度．三角形和方形之间的能量相当于半导体的禁带宽度．从这张图中可以查出不同半导体之间形成异质结时它们能带之间的相互位置． 金属半导体接触 理想情况下，金属和半导体接触形成的肖特基势垒，其势垒高度是由金属和半导体功函数差决定的。但实际情况中金属功函数对势垒高度的决定作用不是唯一的，还存在着影响势垒高度的其他因素。 Wm (EF)m E0 － － － － (EF)S EC EV En χ Ws － － q VD qфns EC EF EV En E0 χ VD 镜像力对势垒高度的影响 金属和GaN在接触之前各自的能带如图9.12(a)所示．它们的真空能级是相同的。当他们直接接触后，它们的费米能级必须对齐，对于一个理想的金属半导体接触，即在中间没有界面层和大量的界面能级的情况下，能带如图9.12(b)所示。q△ф是镜像力引起的势垒下降。 若电子距金属表面的距离为x，则它与感应正电荷之间的吸引力，相当于该电子与位于(–x)处的等量正电荷