电力电子第二章器件特性.pptVIP

MOSFET是一种单极型(只有多子导电)电压全控器件。 输入阻抗高 开关速度快，开关时间短，一般为纳秒级，工作频率高（开关频率可达500kHz以上） 驱动电路简单，特点——用栅极电压来控制漏极电流 无二次击穿问题、安全工作区宽等优点 热稳定性优于GTR 电流容量小，在各类开关电路中应用极为广泛。 2.7 功率场效应晶体管(Power MOSFETs) 目录 2.1电力电子器件的特点与分类 2.2电力电子器件基础 2.3功率二极管 2.4 晶闸管 2.5 可关断晶闸管（GTO） 2.6 电力晶体管 2.7 功率场效应晶体管 2.7.1基本结构和工作原理 2.7.2功率MOSFET特性及主要参数 2.7.3功率MOSFET的驱动 2.7.4功率MOSFET的应用特点 2.8 绝缘栅双极型晶体管 *2.9 其它新型电力电子器件 2.10 电力电子器件的发展趋势 2.11 电力电子器件应用共性问题 小结 2.7 功率场效应晶体管 目录 2.1电力电子器件的特点与分类 2.2电力电子器件基础 2.3功率二极管 2.4 晶闸管 2.5 可关断晶闸管（GTO） 2.6 电力晶体管 2.7 功率场效应晶体管 2.7.1基本结构和工作原理 2.7.2功率MOSFET特性及主要参数 2.7.3功率MOSFET的驱动 2.7.4功率MOSFET的应用特点 2.8 绝缘栅双极型晶体管 *2.9 其它新型电力电子器件 2.10 电力电子器件的发展趋势 2.11 电力电子器件应用共性问题 小结 Metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) 功率场效应管分为结型和绝缘栅型 结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。利用PN结的反向电压对耗尽层厚度的控制来改变漏、源极之间导电沟道的宽度，从而控制漏、源极之间的等效电阻和电流的大小。 绝缘栅型一般称作绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）。利用栅极、源极之间电压形成电场来改变半导体表面感生电荷的多少，改变导电沟道的导电能力，控制漏、源极之间的等效电阻和电流。 通常主要指绝缘栅型,简称功率MOSFET（Power MOSFET） 功率MOSFET的种类 按导电沟道可分为 N沟道 和 P沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道 功率MOSFET主要是N沟道增强型 小功率MOS管采用的是平面水平沟道作用，电流方向与芯片表面平行。 功率MOSFET具有垂直于芯片表面的导电路径，也称VMOS。其源极和漏极分置于芯片两个表面，具有较高的通流能力和耐压能力。 2.7.1 基本结构和工作原理 目录 2.1电力电子器件的特点与分类 2.2电力电子器件基础 2.3功率二极管 2.4 晶闸管 2.5 可关断晶闸管（GTO） 2.6 电力晶体管 2.7 功率场效应晶体管 2.7.1基本结构和工作原理 2.7.2功率MOSFET特性及主要参数 2.7.3功率MOSFET的驱动 2.7.4功率MOSFET的应用特点 2.8 绝缘栅双极型晶体管 *2.9 其它新型电力电子器件 2.10 电力电子器件的发展趋势 2.11 电力电子器件应用共性问题 小结 图2-26 功率MOSFET的外形、结构和电气图形符号 a)外形 b) 结构 c) 电气图形符号 2.7.1 基本结构和工作原理 目录 2.1电力电子器件的特点与分类 2.2电力电子器件基础 2.3功率二极管 2.4 晶闸管 2.5 可关断晶闸管（GTO） 2.6 电力晶体管 2.7 功率场效应晶体管 2.7.1基本结构和工作原理 2.7.2功率MOSFET特性及主要参数 2.7.3功率MOSFET的驱动 2.7.4功率MOSFET的应用特点 2.8 绝缘栅双极型晶体管 *2.9 其它新型电力电子器件 2.10 电力电子器件的发展趋势 2.11 电力电子器件应用共性问题 小结 N沟道增强型VMOS（N+PN-N+） 栅极 漏极 源极 2.7.1 基本结构和工作原理 目录 2.1电力电子器件的特点与分类 2.2电力电子器件基础 2.3功率二极管 2.4 晶闸管 2.5 可关断晶闸管（GTO） 2.6 电力晶体管 2.7 功率场