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半导体材料及器件工艺技术（二） 1光刻技术 2真空镀膜 3晶体制备及液相外延 4磁控溅射 实验室常用半导体工艺 （真空镀膜与光刻技术） 1光刻技术 光刻是一种复印图形与化学腐蚀相结合的综合性技术。它先采用照相复印的方法，将光刻版上的图形精确地复印在涂有感光胶的基片上。然后利用光刻胶的保护作用，对基片进行选择性腐蚀，从而在基片上得到与光刻版相应的图样 2真空镀膜 真空镀膜技术是一种新颖的材料合成与表面加工的新技术，是利用物理、化学手段将固体表面涂覆一层特殊性能的镀膜，从而使固体表面具有耐磨损、耐高温、耐腐蚀、抗氧化、防辐射、导电、导磁、绝缘和装饰等许多优于固体材料本身的优越性能 2光刻技术 涂胶方法有浸涂法、喷涂法和旋转法等。常用的是旋转法，它又分为旋转板式和自转式两种 蒸发系统 Czochralski Growth Bulk crystal growth techniques ? Need for bulk crytals ? Liquid Encapsulated Czochralski technique Horizontal Bridgman technique ? Dopant distribution * * Semiconductor materials Lecturer: Aimin Liu Weifeng Liu 刘爱民 刘维峰 正胶 负胶 基片前处理 匀胶 前烘 曝光 显影 清洗 后烘（坚膜） 腐蚀 去胶 图形必须严格套准 胶膜表面与光刻版必须贴紧，若存在空隙，不应该照到光的地方也会受到光的照射，使图形产生畸变 辅助 工作架 烘烤电极 活动挡板 蒸发电极 2真空镀膜 在真空中，气体分子密度低，在某些情况下，真空可以近似地看作没有气体“污染”的空间。真空中，气体分子或带电粒子的平均自由程为： 其中为?分子直径，p为压强，T为气体温度，k为玻耳兹曼常数。 真空的基本特点 主要方法： (1)电阻加热（铝,金,铬) (2)电子加热（3000C, 难熔金属) （3）感应加热 DM—240 型真空镀膜机 卓克拉尔斯基法 3晶体制备及液相外延 真空技术基础 真空的基本知识 真空的获得 真空的测量 真空度的单位 自然真空：宇宙空间所存在的真空； 人为真空：用真空泵抽调容器中的气体所获得的真空。 几种压强单位的换算关系