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关於3bit切换电容式振荡器之测试元件
關於3-bit切換電容式振盪器之測試元件
Test Key for 3-bit Switching Tuning VCO
IC 編號：S35-91A-08t
指導教授：高曜煌 交通大學電信研究所教授
E-mail：yhkao@.tw
設計者：吳丕安 碩士班研究生
E-mail：pawu.cm89g@.tw
電話：03-5712121-54583 傳真：03-5710116
中文摘要(及關鍵字)
量測.35 Varactor與平行板電容值
關鍵字: Varactor, 電容
Abstract
Keyword: varactor, capacitance
二、計劃緣由與目的
曾於S35-90E梯次下線有關3-bit switching tuning VCO, 因為.35 製程並無RF spice model, 所以必須自行製作test key.量測時可利用NDL設備.
三、研究方法
Varactor: nmos: 0.35x5x40(um)--no.1 ,0.35x5x80(um) --no.2
電容: 0.2p—66.8umx66.8um no.3, 0.4p— 99.4umx99.4um no.4,
0.8p— 143.3umx143.3um no.5
3-bit switch: 0.2p+nmos no6, 0.4p+nmos—no.7 ,
8p+nmos—no.8
Open pad: p1 , p2
TSMC .35um MOS 分析:
MOS switch 等效示意圖,如圖一:
MOS size決定因素有二:一是串上固定平面電容後Q值,二是串上固定平面電容後的等效電容值. 依據我們的分析,在1.6GHz~2GHz與平面電容值在0.1pF~1pF之間時, MOS size的選擇,Length越短越好, Width 的長短必須在Q值和off時等效電容值之間做取捨.
若以0.1pF的平面電容串上適當size的NMOS為例,模擬結果 可得switch on: 等效電容值99.99f F , Q=32.69 ; switch off : 等效電容值24.14f F
上述分析是以TSMC .35 model與假設理想的平面電容來做模擬,因此後續工作有二:
一. 製作上述元件test key, 利用Probe station和Network analyzer量測,計算實際等效電容值與Q值
四、測試
利用NDL提供的20GHz的高頻on-wafer S參數量測系統，再用ADS做模型參數萃取。
目前已量測與萃取有關open pad和平行板電容部份。平行板電容等效模型如圖二。
量測與萃取結果: 圖三、四、五與表一
五.討論
由NO3~5的量測可發現電容值與預期的大20%~25%。.參考文獻
[1] 蕭兆志, “0.35微米金氧半場效電晶體高頻大訊號模型之建立” ,
中央大學電機工程系 固態與微波實
驗室.tw/~yjchan/
圖一 MOS switch 等效示意圖
圖二 平行板電容模型
圖三 NO3
圖四 NO4
圖五 NO5
表一
佈局平面圖
*** Chip Features CAD Tools ***
CKT name : 關於3-bit 切換電容式振盪器之測試元件(設計名稱) HSPICE
Technology : 0.35um Silicide 1P4M (使用製程) OPUS
Package : 無 (包裝種類)
Chip Size : 2.4 * 2 mm2 (晶片面積；mm2)
Transistor/Gate Count : 5 (電晶體/邏輯閘數)
Power Dissipation : mW (功率消耗；mW)
Max. Frequency : 6GHz (最高工作頻率，MHz)
Testing Results : □function work □partial work □ fail
佈 局 平 面 圖
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