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弹射抛光
Achievable Machining Accuracy 超精密磨粒加工的光學元件與電子零件 Free Abrasive Machining 研磨 拋光 Hard Polishing (Mechanical Polishing) 拋光 (2) Soft Polishing (Chemical-Mechanical Polishing) Engineering Materials 磨料種類 游離磨粒加工 粒度:愈細者面粗度愈佳,但加工效率差。 粗磨 : #200 - 400 中磨 : #400 - 800 細磨 : #1000 加工液:冷卻、潤滑、分散劑、介面活性劑、防止磨料過度破碎。 油基:金屬 水溶性、水:玻璃、水晶、 半導體、陶瓷 研磨液的粒徑 粗磨:用不易粉碎的研磨劑。 細磨:用易粉碎的研磨劑。 加工液粘度愈低,則粒徑愈快減小 研磨壓力大、速度快,則愈易粉碎 堵塞 粗磨:堵塞則減少磨削量。 細磨:堵塞則加工面滑溜美觀, 但溫度易太高。 各種材料之拋光盤及研磨粒子比較表 游離磨粒加工壓力與速度 壓力: 1~ 2 kgf/cm2 之均一分佈 :P大,MRR?、NU%?。 太大:顆粒易粉碎。 太小:研磨效率差。 速度: 50m/min,20 ~ 30 m/min 常用,均一速度分佈: V大, MRR?、NU%?。 太快:溫升高,磨料易碎,工 件端部崩垂。 太慢:研磨效率差。 游離磨粒加工效率 液中鏡面拋光 均一粒徑的拋光。 加工液:10nm?數um 2?10wt% 磨料 +純水。 壓力:0.5 ~ 2kg/cm2。 陶瓷、鋼的超精密研磨:10nm Rmax。 Ultrasonic polishing 磁性流體拋光 1980年代即被廣為實際運用做加工後段拋光之用,M. Fox等人利用此法對非磁性材料做過相關實驗,其加工後的表面精度約可達 8nm,但磁性研磨法能進行小區域修補加工,對於大型平面工件而言相當費時。 Magnetic Fluid Polishing磁性流體拋光 Magnetic Fluid Grinding 游離磨粒加工目的 表面粗糙度 總體厚度差TTV (Total Thickness Variation) 平坦度(非均勻性) 表面整合性 材料去除率 ? 機械性質、物理性質 變質層應力分析 – X光應力測定法、應變計 表面形狀 – 探針粗度儀、干涉顯微鏡、AFM 硬度 – 微硬度計、AFM * 研磨 (LAPPING) 拋光 (POLISHING) 彈射拋光 (EEM) 精密磨料加工 研磨、拋光 複合拋光 鑽石膜拋光 After Taniguchi 土肥 俊朗 被加工材料 超精密磨料 加工機構 機器系統 工具系統 本體結構 驅動裝置 控制裝置 工件固定 型式 加工條件 磨粒 加工液 拋光墊 修銳器 表面粗度 表面形狀 表面整合性 幾何精度 組成、組織 材料機能物性 設備性能 溫度 振動 塵埃 環境 分析、評價 Cooling system Flatness of the plate 創技公司 創技公司 創技公司 Metals Ceramics Polymers Composites Processing Thermal Chemical Mechanical Electrochemical Property Structure Physical Chemical Mechanical Glass、Quartz、Metals (low strength) WA (#240 ~ 8000) Crystal、Ferrite、Ultra-hard metal、Ceramics GC (#240 ~ 8000) Si Wafer、GaAs、Quartz、Photo-mark FO(Al2O3)(#240 ~ 4000) Glass、Quartz、Si Wafer CeO2、SiO2 、ZrO2 Hardened steels CBN Glass、Soft metals A (#240 ~ 3000) Cast iron、Brass、Bronze、Al、Stone C (#240 ~ 3000) Ultra
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