4-9 硅和锗的能带 固体物理 教学课件.pptVIP

§4-8 硅和锗的能带结构 一、k空间等能面 若设一维情况下能带极值在k=0处，则 导带底附近 价带顶附近 E(0)分别为导带底能量和价带顶能量。 对实际的三维晶体，以kx、 ky、kz为坐标轴构成k空间， k空间任一矢量代表波矢k， 如图。 其中 （8-3） 设导带底位于k=0，其能 值为E(0)，导带底附近 当E(k)为某一定值时，对应于许多组不同的（kx、ky、kz)，将这些组不同的（kx、ky、kz）连接起来构成一个封闭面，在这个面上的能值均相等，这个面称为等能面。可以看出，（8-4）式表示的是 一系列半径为的球面。 它是一系列环绕坐标原点的圆。 若晶体有各向异性的性质，E(k)与k的关系 沿不同的k方向不一定相同，反映出沿不同的k方 向，电子的有效质量不一定相同，而且能带极值 不一定位于k=0处。设导带底位于k0，能量为 E(k0)，在晶体中选取适当的坐标轴kx、ky、kz，并 令mx*、my*、mz*分别表示沿kx、ky、kz三个方向 的导带底电子的有效质量，用泰勒级数在极值k0 附近展开，略去高次项，得 式中 二、硅和锗的导带结构 硅、锗的价带分为三个带，分别是重空穴带（曲率小的）、轻空穴带（曲率大的）和劈裂带。 由于劈裂带是离开价带顶的，一般只对前两个能带感兴趣。 另外，重空穴比轻空穴有较强的各向异性。 硅和锗的价带顶Ev都位于布里渊区中心，而导带底Ec则分别位于100方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处和简约布里渊区边界上，即导带底与价带顶的能量对应的波矢不同。这种半导体称为间接禁带半导体。 面心立方晶格的第一布里渊区 面心立方晶格的第一布里渊区 硅、锗的禁带宽度是随温度变化的。 在T=0K时，硅、锗的禁带宽度Eg分别趋近 于 EgSi=1.170eV， EgGe=0.7437eV 随着温度升高， Eg按 规律减小。 式中Eg(T)和Eg(0) 分别表示温度为T和0K时的禁带宽度。 温度系数α和β分别为： 硅： α= 4.73×10-4eV/K β= 636K 锗： α= 4.774×10-4eV/K β= 235K T=300K时， EgSi=1.12eV， EgGe=0.67eV 所以Eg具有负温度系数。 对半导体来说，导带底和价带顶的能量差，即禁带宽度Eg是十分重要的量，因此采用一种简化的能带图。图的水平方向常表示实际空间的坐标。 * * （8-1） （8-2） 如果知道mn*和mp*，则极值附近的能带结构便掌握了 （8-4） （8-5） （8-6） 也可将（8-5）写为如下形式 （8-7） 式中Ec表示E(k0) 这是一个椭球方程，各项的分母等于椭球 各半轴长的平方，这种情况下的等能面是环绕 k0的一系列椭球面。如图，为等能面在kykz平面 上的截面图，它是一系列椭圆。 要具体了解这些球面和椭球面的方程，最终得到能带 结构，必须知道有效质量的值。测有效质量的方法很 多，第一次直接测出有效质量的是回旋共振实验。 硅和锗的布里渊区中k空间导带等能面示意图 理论和实验相结合得出的硅、锗沿111和100方向 上的能带结构图。 主要对称轴： Δ：ΓX轴，四度旋转轴， 波矢取值， 0δ1； Λ：ΓL轴，三度旋转轴， 波矢取值， 0?1/2； Σ：ΓK轴，二度旋转轴， 波矢取值， 0 ? 3/4。 （8-22） *