ch4_时钟及电源管理 嵌入式系统原理与应用技术 教学课件.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * 嵌入式系统原理与应用技术 袁志勇 王景存 章登义 刘树波 北京: 北京航空航天大学出版社, 2009.11 主讲：崔浩 * * 第4章 时钟及电源管理 4.1 S3C2410时钟结构 4.2 S3C2410电源管理模式 4.3 相关特殊功能寄存器 4.4 常用单元电路设计 * * 4.1 S3C2410时钟结构 主时钟来源于外部晶振(XTlpll)或外部时钟(EXTCLK)。 时钟发生器包含一个连接外部晶振的振荡器，两个产生高频时钟的锁相环(PLLs)。 两个时钟源依据模式控制引脚(OM3和OM2)的不同组合来选择。 OM[3:2] MPLL 状态 UPLL状态 主时钟源 USB时钟源 00 On On 晶振 晶振 01 On On 晶振 外部时钟 10 On On 外部时钟 晶振 11 On On 外部时钟 外部时钟 * * ARM 时钟体系结构 * * 4.2 S3C2410电源管理模式 S3C2410有4种电源管理模式 : 空闲模式 正常模式 低速模式 休眠模式 * * 时钟分配图 * * 电源管理模式转换图 * * 各种模式下时钟和电源状态 模式 ARM920T AHB模块(1)/WDT 电源管理模块 GPIO 32.768KHz　RTC时钟 APB模块(2)和USB主控/LCD/NAND 正常 工作 工作 工作 可选 工作 可选 低速 工作 工作 工作 可选 工作 可选 空闲 停止 工作 工作 可选 工作 可选 休眠 断电 断电 等待唤醒事件 前一个状态 工作 断电 * * 正常模式 在正常模式下，所有外围设备和基本模块包括电源管理模块、CPU核、总线控制器、存储控制器、中断控制器、DMA 和外部控制单元都在运行。但每一个外围设备的时钟,不包含基本模块，都可以通过软件控制运行或停止，以便降低功耗。 * * 空闲模式 在空闲模式下，停止供给CPU核时钟，但总线控制器、存储控制器、中断控制器和电源管理模块仍然供给时钟。要退出空闲模式，需要激活EINT[23:0]，或者RTC中断，或其它中断。 * * 低速模式 即无PLL模式，在低速模式下，通过低速时钟频率来达到降低功耗。此时PLL不参与时钟电路，FCLK是外部输入时钟(XTlPll或EXTCLK)的一个n分频，分频比率是由两个控制寄存器CLKSLOW和CLKDIVN的SLOW_VAL值来决定的。 * * 休眠模式 休眠模式下，模块断开内部电源连接，除了唤醒逻辑。休眠模式有效的前提是系统需要两套独立的电源，其中一套给唤醒逻辑供电，另一套则给其他设备包括CPU供电,并且电源上电可控制。在休眠模式，给CPU和内部逻辑供电的第二套电源被关闭。可以由EINT[15:0]或通过预设系统启动时间的中断将系统从休眠模式下唤醒。 进入休眠模式的过程如下： 设置GPIO配置寄存器，使GPIO工作在休眠模式下。 屏蔽INTMSK寄存器中所有中断。 设置唤醒源，包括RTC中断。 设置USB为挂起模式 (MISCCR [13:12] =11b)。 存重要的值到GSTATUS[4:3]寄存器中，在休眠模式下这些寄存器的值维持不变。 设置MISCCR[1:0]，为数据总线D[31:0]设置上拉电阻。如果已经存在外部总线缓冲器，如74LVCH162245，则关闭上拉电阻，否则打开上拉电阻。 将LCDCON1.ENVID位清0，停止LCD。 读rREFRESH和rCLKCON来填充TLB。 通过设置REFRESH[22]为1b，使SDRAM进入自动刷新模式。 等待直到SDRAM自动刷新模式生效。 设置MISCCR[19:17]为111b，使SDRAM信号(SCLK0，SCLK1和SCKE) 在休眠模式下受到保护。 设置CLKCON寄存器中的休眠模式位，使系统进入休眠状态。 * * 休眠模式 从休眠模式下的唤醒过程如下： 如果唤醒源中的一个产生唤醒信号,将引发内部复位信号。 检查GSTATUS2[2]来判断是否是因为休眠唤醒而产生的系统上电。 通过设置MISCCR[19:17]为000b来释放对SDRAM信号的保护。 配置SDRAM存储控制器。 等待SDRAM自动刷新的结束。 GSTATUS[3:4]中保存着休眠前的值，这个值是用户自定义的，唤醒后用户仍然可以使用这个值。设置GPIO配置寄存器，使GPIO工作在休眠模式下。 * * 电源VDDi和VDDiarm的控制 休眠模式下，VDDi、VDDiarm、VDDiMPLL和VDDiUPLL将被关闭，由PWEREN引脚控制。如果PWREN信号有效(高),VDDi和VDDiarm由外部电源供电。如果PWREN信号无效(低), VDD