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以DLC接口及钻铜基材制造大功率的垂直LED 　　2010年全球LED产值(约百亿美元)几乎追近台积电一年的销售额。许多重量级的大公司( 如台积电、鸿海、友达等 )也将跳进这片光海。然而大陆却早有布局使2012年成为传统LED的总决战(Armageddon)年，而最后获胜的将会是中国。中国不仅掌握市场，更布局近千台的MOCVD机海, 因此可抓住LED的上、中、下游产业。有鑑于此，CREE、晶电、灿圆、新世纪、旭明光电等LED磊晶生产的领头羊已纷纷进驻大陆。美国、日本及台湾 LED磊晶公司的生存之道就是把传统的水平LED设计升级成垂直式LED，这样才能在大面积的芯片上加大电流(如单芯片10W)而以一颗LED的生产成本取代多颗的传统LED。　　垂直LED的制作必需把GaN半导体软銲在低膨胀率的基材上，但偏偏低膨胀率的材料(如矽或GuW)其散热不佳，而高导热材料的热膨胀却远大于GaN(约 5.5ppm/mK), 因此LED专家找不到理想的衔接材料。本文推荐以DLC为接口而钻石和铜的复合材料(钻石散热片)为基材制作全世界最先进的垂直LED。这样可以让台湾LED的产业蛙跳超前外国的主导公司(如Nichia, Osram，Lumiled)，也顺势摆脱欧、美、日对台湾的专利封锁。　　LED的世界革命。2010年LED开始大量用于室内照明、户外路灯、及电视背光。室内照明常用的白炽灯(Incandescent Lamp)及萤光灯(Fluorescent Lamp)乃致LCD背光常用的冷阴极管(Cold Cathode Fluorescent Lamp)正在快速被淘汰中。　　LED的主流产品为白光照明，大部份的白光乃以蓝光的LED激发黄色的萤光粉产生假性的白光。LED的大宗生产乃以蓝宝石为基材外延磊晶生长GaN成为LED的芯片。生长的主要方法为金属有机化学气相沈积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition 或MOCVD) 。 台湾拥有最多台的MOCVD设备，为世界LED晶粒产量第一的国家。但大陆已经急起直追，甚至提供每台MOCVD 补助人民币一千万元的优惠奖励 。　　台湾主要的生产公司(晶电、灿圆、新世记等)都已在大陆设厂。另一方面，台湾光电产品的劲敌韩国(如Samsung)在2010年虽向台湾大量采购LED 货源，但自己却也安装了两百多台的MOCVD。所以台湾MOCVD生产的LED其产能在2011年可能过剩，预期即将成无利可图的红海市场。台湾急需开发更高端的产品才能避免金融风暴后DRAM杀价竞争的复辙 (如表一~表四) 。　　表一：世界最大产值的LED产品公司(2009)　　 　　参考：LED Inside　　表二：世界最大芯片产量的LED 公司(2010)　　 　　参考：IMS Research, SEMI　　表三、主要LED公司使用MOCVD的规模(2009)　　 　　参考︰Yuanta Research estimates　　表四：世界最大产值公司PK世界最大产量公司的竞争优势　　 　　LED的专利网　　台湾虽为LED制造王国，但就像其他的代工产业一样，LED专利受制于国外的大公司，每年必须缴付钜额的权利金。台湾出钱制造却为外国老板赚钱，而现在生产LED的技术更已大量外移大陆，这是台湾LED代工生态的悲哀。(如图1、2)　　 　　图1：LED 专利网　　 　　图2︰LED外国公司交互授权而边缘台湾代工产业的现状。然而这个劣势却可以让钻石科技中心发展的钻石专利逆转获胜(见下述)　　LED的战国时代　　提高LED性能的一种方法乃将电流由弯流改成顺流。由于蓝宝石基材不导电，LED正负两个电极乃设在同面。当电流通过GaN晶格时电流必须由垂直顺流改成水平横流，这样电流就会集中在内弯处，导致不能有效使用P-N接口的电子层和电洞层，因而减少了发光效率。更有甚者，电流集中之处会产生热点使晶格缺陷范围延伸，LED的亮度就会随缺陷扩大而递减。为了延长LED的寿命，输入的电流必须降低(如350mA)，单位面积的发光亮度，就受到了限制。LED设计的主要设计有如下列诸图所示(如图3)　　 　　 　　 　　 　　图3：LED芯片的主要设计示意　　LED电流转弯的问题不能靠封装的设计(如复晶或Flip Chip)改善，把电流截弯取直才是正道，这样必须把电极置于LED磊晶的两侧。电流平顺就可以明显提升LED的亮度。除此之外，相同亮度的顺流LED使用的芯片面积较小，因此晶圆上切出的晶粒数目较多，也就是单颗LED的制造成本可能降低。尤其进者，电流转弯时若扩大芯片的面积会使LED发光更不均匀。但是顺流LED其发射的光子数目则会由发光面积的加大而提高。所以一颗以大电流(如1A)驱动大