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VLSI设计导论 清华大学计算机系 第一章 概 论 第一节 引 言 信息产业值占国民经济总值的40%~60%是支柱 微电子工业是国民经济信息化的基石 集成电路是微电子技术的核心 Moore’s Law and Future IC Technologies 集成电路的发展特点 工艺特征尺寸 单个芯片上的晶体管数 芯片面积 电源电压 金属布线层数 时钟频率 器件及互连线延迟 * * 集成电路与计算机 Design Manufacture Testing Packaging EDA Tools Computer 1948年，美国贝尔实验室发明了点接触晶体管 1949年，肖克利（W.Shockley）提出结型晶体管的设想 1951年，制成了第一枚面结型的晶体管 1930年，利利费尔德（Lillienfenld)和海尔(Heil)提出了利用半导体表面场效应原理制造固体放大器 40年代末，肖克利（W.Shockley）和皮尔逊（G.L.Pearson）研究了这个问题。 1960年，卡恩格（D.Kanng)和阿塔纳（M.M.Atalla）用热氧化硅结构制造了第一枚绝缘栅MOS晶体管。 1952年，英国科学家达默提出电路集成化的最初设想。 1959年，美国得克萨斯仪器公司的一位工程师基尔比，按照上述设想，制成了世界上第一块集成电路。 1959年，美国仙童公司赫尔尼等人发明的“平面工艺”，被移到集成电路的制作中，使集成电路很快从实验室研制阶段进入工业生产阶段。 1959年，得克萨斯仪器公司首先宣布建成世界上第一条集成电路生产线。 1962年，世界上出现了第一块集成电路正式商品，这预示着第三代电子器件已正式登上电子学舞台。 一、集成电路的发展 自从1959年集成电路诞生以来，经历了小规模（SSI）、中规模（MSI）、大规模（LSI）的发展过程，目前已进入超大规模（VLSI）和甚大规模集成电路（ULSI）阶段，进入片上系统（SOC)的时代。 第一代16位的8086芯片中，共容纳了约2.8万个晶体管。32位以上的586级计算机微处理器，如“奔腾”芯片内的晶体管数目则高达500万以上。目前一个芯片已经可以集成上亿个晶体管。 目前商业化半导体芯片的线宽为0.09~0.13μm，今后发展的趋势是0.065μm甚至0.045μm以下。 Moore Law --- 芯片集成度每18个月将翻一番。 --- 至少还会适用15年! (first published in 1965) 1997 National Technology Roadmap for Semiconductors 九十年代以来，集成电路工艺发展非常迅速，已从亚微米(0.5到1微米)、深亚微米(小于0.5微米)到超深亚微米或纳米(小于0.25微米)。其主要特点： 特征尺寸越来越小 芯片面积越来越大 单片上的晶体管数越来越多 时钟频率越来越高 电源电压越来越低 布线层数越来越多 I/O引线越来越多 表1 发展规划代次的指标 年份 1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012 最小线宽 0.25 0.18 0.15 0.13 0.10 0.07 0.01 (μm） DRAM容量 256M 1G 1G~4G 4G 16G 64G 256G 每片晶体管数 11 21 40 76 200 520 1400 （M） 芯片尺寸