计算机电路基础（模拟电子电路基础）.pptVIP

PN 结的导电特性： 1、 PN 结加正向电压（P 区接电源正极、N 区接电源负极）时PN结处于导通状态，也叫正向偏置。 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。 * 模拟电子电路基础 二极管内容回顾 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 PN结的形成：在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 2、PN 结加反向电压（P 区接电源负极、N 区接电源正极）时PN结处于反向截止状态，也叫反向偏置。 PN 结的导电特性：单向导电性（正向导通，反向截止） 半导体二极管基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 P N 二极管的电路符号： 半导体二极管实物图片 二极管的识别方法 识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。 TO-92晶体管 TO-220晶体管 ??????????????? TO-126晶体管? 晶体三极管 三极管的结构原理： 半导体三极管：是由两个背靠背的PN结构成的。两个PN结，把半导体分成三个区域（三区二结）。这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是P-N-P。因此，双极型三极管有两种类型：NPN型和PNP型。 三极管重要特性：具有电流放大作用和开关作用 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 半导体三极管基本结构 NPN型 PNP型 B E C NPN型三极管 B E C PNP型三极管 三极管符号: N P N C B E P N P C B E 三极管的发射极的箭头方向,代表发射极电流的实际方向。是发射结加正向电压时的电流方向。 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 集电结 发射结 三极管具有电流放大功能的内部条件： N N P RB EB 电流放大原理 EC 集电结反偏 发射结正偏 发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 电子与基区空穴复合形成IB IB 穿过集电结形成IC IC 三个极电流的关系为 IC与IB之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 1. 三极管电流放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 不同类型的管子，其偏置电压不同，使用时要注意。 ++ - + ++ - + 三极管的伏安特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB 。此区域称为线性放大区。 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 此区域中 : IB=0 , IC=ICEO , UBE 死区电压,称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 当晶体管饱和时， UCE ? 0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，IC ? 0 ，发射极与集电